Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Реферат'
Работа состоит из: титульного листа, содержания, введения, обзора литературы, объектов и методов исследования, заключения, выводов и списка литератур...полностью>>
'Документ'
Ул. Ленина – обе стороны (четная, нечетная) от ул. Пионерской до ул. Коммунистической включая зеленую зону с обеих сторон, проезжую часть и ограждение...полностью>>
'Документ'
Белки составляют основу жизнедеятельности всех организмов, известных на нашей планете. Это сложноорганизованные орга–нические молекулы, которые имеют...полностью>>
'Лекции'
Геополитическое положение Российской Федерации: актуальные задачи развития Вооруженных Сил РФ; основные значимые элементы современной системы междуна...полностью>>

Информационный бюллетень наноструктуры сверхпроводники фуллерены Том 8, выпуск 20 30 октября 2001г

Главная > Информационный бюллетень
Сохрани ссылку в одной из сетей:

Информационный бюллетень


наноструктуры сверхпроводники фуллерены

Том 8, выпуск 20 30 октября 2001г.

В этом выпуске:

И далее ...

МИКРОТЕХНОЛОГИИ


2

Технологические уловки, или как обойти закон Мура

НАНОСТРУКТУРЫ


2

Диагностика транзисторов

3

Две точки зрения на кулоновскую псевдощель

Метрология в нанотехнологии

ФУЛЛЕРЕНЫ И НАНОТРУБКИ


3

Взгляд на волновые функции

4

Работа выхода многослойной нанотрубки

МАГНИТОЭЛЕКТРОНИКА


4

Модификация поверхности – путь к магнитной памяти

ИПТМ содействовал рекорду
испанцев

КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ


5

Кубит из квантового провода

Однофотонный детектор

ФИНАНСИРОВАНИЕ


6

Новые наноцентры при 6 университетах США

ВЕСТИ С КОНФЕРЕНЦИЙ


6

МНЭ'2001. Сохраняется шанс на лидерство в разработке квантового компьютера

7

Углеродные наноструктуры захватывают позиции в водородном материаловедении

КОНФЕРЕНЦИИ


7

Научные семинары России

НОВОСТИ ФИЗИКИ
В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ


СВЕРХПРОВОДНИКИ



Сверхпроводящие фильтры в мобильной сети

AT&T Wireless (AWE) - одна из самых больших беспроводных цифровых сетей Северной Америки, и Superconductor Technologies Inc. (STI) - мировой лидер в применении сверхпроводящих материалов в беспроводной связи, анонсировали развертывание системы сверхпроводящих фильтров в регионе Santa Barbara. "Наша система SuperFilter усиливает беспроводную связь от мобильных телефонов к базовым станциям, уменьшая число несостоявшихся и блокируемых звонков и улучшая качество звука. Кроме того, она позволяет экономить расход потребляемой электроэнергии у "мобильника", таким образом значительно продлевая срок службы батареек" - сказал Bob Johnson, президент STI.

STI's SuperFilter System использует ВТСП компоненты в системе фильтров и усилителей на базовых станциях. Это способствует расширению территориального охвата базовой станции, увеличению емкости сети и скорости передачи данных и значительному улучшению качества сигнала.

Наблюдение индивидуальных вихрей в ВТСП

В августе 2001 года в “Nature” появилась заметка японских физиков (Hitachi Ltd.), в которой сообщается о наблюдении взаимодействия одиночных вихрей с дефектами, созданными в ВТСП Bi2212 пленке высокоэнергетичными ионами [1].

Визуальное наблюдение взаимодействия одиночных вихрей с различными дефектами давно является предметом интенсивных исследований. Применяются разнообразные методы - магнитное декорирование, магнитооптика, сканирующая холловская магнитометрия высокого разрешения, а также лоренцевская [2] и интерференционная [3] микроскопия. Общий недостаток этих методов - вихри наблюдаются только на поверхности образца, не давая никакой информации о важных событиях в его объеме.

Частично эта проблема все же решается в лоренцевской и интерференционной микроскопии, где вихри детектируются проникающим пучком электронов. Взаимодействие пучка электронов


Уважаемые коллеги!

По двум адресам в Интернете, приведенным ниже, вы найдете всю необходимую документацию по конкурсам Минпромнауки на 2002-2004 гг.

Внимание! В предыдущем выпуске ПерсТ’а (вып.19 с.г.) на первой странице ошибочно указана стоимость (350 млрд. долл.) строительства термоядерного реактора по проекту ITER. В действительности эта сумма составляет 3.5 млрд. долл., что, согласитесь, тоже совсем неплохо.

с вихревой структурой изменяет дифракционную картину, анализ которой методами компьютерного моделирования дает некоторую полезную информацию об относительно небольших расстояниях, на которые электронный луч проникает в сверхпроводник. При ускоряющем напряжении 300кэВ это расстояние составляет приблизительно две глубины проникновения магнитного поля.

Исследователи поставили задачу наблюдения вихревого состояния в более толстых пленках, специально разработав электронный микроскоп с ускоряющим напряжением 1МэВ (весом в 40 тонн!). Им удалось получить четкое изображение вихрей на пленках Bi2212 толщиной 400нм.

Для формирования трековых дефектов пленки облучали под углом 70o ионами Au15+ с энергией 240МэВ до флюенса 0.05 мкм-2. Затем облученные пленки помещали в электронный пучок (наклон 30о) и прикладывали магнитное поле различного направления в диапазоне от –70о до +70о.

Результаты наблюдения дифракционных картин показали, что при температуре Т>19К вихри в пленке главным образом захватываются вдоль трекового дефекта, независимо от направления приложенного магнитного поля. При Т<12К вихри всегда проникают в пленку перпендикулярно поверхности! Авторы делают вывод о том, что при высокой температуре трековые дефекты являются наиболее эффективными центрами пиннинга. При понижении температуры их эффективность падает, и начинает играть существенную роль так называемый фоновый пиннинг на дефектах атомного размера (например, кислородных вакансиях).

И.Руднев

  1. Nature, 2001, 412, p.620t

  2. Nature,1992, 360, pp.51-53

  3. A. Tonoruta. Electron Holography, 2nd edn (Springer, Heidelberg, 1999)

МИКРОТЕХНОЛОГИИ



Технологические уловки, или как обойти
закон Мура

IBM Corp. объявила, что нашла рецепт, как увеличить на 35% быстродействие полупроводниковых ИС, не прибегая к уменьшению их размеров за достигнутые пределы. Технология, названная «растянутый кремний», использует природное стремление атомов материалов в сложном соединении подстраиваться друг к другу. А именно, если кремний осадить на поверхность подложки, в которой расстояние между атомами больше, чем у кремния, то расстояние между атомами в кремнии увеличится, чтобы соответствовать расположению атомов в подложке. В таком «растянутом» кремнии электроны встречают меньшее сопротивление, и скорость их передвижения увеличивается на 70%, что приводит к увеличению быстродействия ИС на 35%. На эту тему были представлены две технические статьи на прошедшем в Японии июньском Симпозиуме по СБИС технологии. Bijan Davari, вице-президент по полупроводниковым разработкам ф. IBM Microelectronics, убежден, что технология «растянутый кремний», наряду с ранее достигнутыми успехами корпорации в использовании медных межсоединений, кремния-на-диэлектрике, SiGe и диэлектриков с низким , позволят в течение 1-2 лет сохранять лидерство корпорации в полупроводниковой технологии. Выпуск изделий на основе «растянутого» кремния начнется в 2003 году.

Похоже, что с технологией «растянутого» кремния знакомы и специалисты молодой фирмы AmberWave Systems Corp. Gene Fitzgerald, профессорствующий в MIT, основал эту фирму 3 года назад, но проблемой «растянутого» кремния он занимается уже 10 лет. AmberWave запатентовала эту технологию под названием «epsilon MOS». Фирма обладает всеми необходимыми средствами (интеллектуальной собственностью, технологическими возможностями, кадрами) для оказания немедленной помощи любой фирме, заинтересованной в коммерческом производстве схем на основе epsilon MOS технологии. AmberWave уже работает с несколькими высокотехнологическими фирмами над изготовлением ИС на растянутом кремнии. Ответственный представитель AmberWave сообщил, что epsilon MOS может обеспечить увеличение подвижности электронов и дырок в 1.5 - 2.2 раза. Л.Журавлева

/printableArticle?doc_id=OEG20010608S00/4

НАНОСТРУКТУРЫ



Диагностика транзисторов

Метод емкостной спектроскопии широко применяется для исследования ловушек и центров рекомбинации в структурах кремниевых полевых транзисторов. В обычном варианте он дает только интегральную характеристику. Чтобы получить локальное распределение центров, т.е. карту поверхности, необходимо располагать на поверхности локальные затворы. Однако, и в этом варианте трудно диагностировать ловушки, которые быстро перезаряжаются, поскольку носители заряда "подтаскиваются" издалека, из электродов стока и истока. Другое несовершенство этого метода заключается в том, что при уменьшении толщины подзатворного диэлектрика (что и предпринимается в конструкциях субмикронных и нанометровых транзисторов) возрастает туннельный ток в затвор. На фоне этого тока трудно заметить слабый рекомбинационный ток.

Исследователи из Himeiji Institute of Technology (Япония) предложили новый вариант [1] известного метода накачки, избавляющий от всех отмеченных выше недостатков. Роль затвора выполняет сканирующий электрод, движущийся вдоль поверхности образца без контакта с ней. Наличие тыльного (back) электрода, из которого и происходит накачка носителей, обеспечивает локальность измерения. Метод опробован для процесса отжига в атмосфере водорода, пассивирующего дефекты. В результате плотность ловушек уменьшается от 1.81011см-2эВ-1 до
2.71010см-2эВ-1.

Другой способ, позволяющий определять время рекомбинации носителей вблизи границы Si/SiO2 в структуре полевого транзистора с тонким слоем окисла, предложили ученые из National Taiwan University [2]. Они использовали структуру в режиме туннельного диода и измеряли электролюминесценцию, что позволило определить характерное время рекомбинации Шокли-Рида-Холла (SRH) через глубокие центры. Оно оказалось равным 20мкс. Удалось также определить соотношение скоростей рекомбинации SRH, радиационной и Оже-рекомбинации, которое оказалось равным
1 : 0.2 : 0.1 для плотности инжекционного тока 39Асм-2.

Огромные возможности предоставляет электростатический силовой микроскоп (EFM). С его помощью физики из Seoul National University в реальном времени наблюдали распределение плотности захваченного заряда и его движение вдоль поверхности [3]. Удалось показать, что при плотности поверхностного заряда 1010см-2, характерной для современных МОП'ов, дрейфовый ток, вызванный кулоновским расталкиванием заряда, по порядку величины совпадает с током диффузии.

Приведенные выше цифры могут быть использованы в качестве ориентировочных значений при моделировании транзисторов.

В.Вьюрков

  1. Appl.Phys.Lett., 2001, 79, p.1825

  2. Appl.Phys.Lett., 2001, 79, p.2264

  3. Appl.Phys.Lett., 2001, 79, p.2010

Две точки зрения на кулоновскую
псевдощель

Сотрудники ИФТТ РАН (Черноголовка) Е.М.Девятов, А.А.Шашкин и В.Т.Долгополов в содружестве с немецкими и английскими коллегами сообщили о наблюдении кулоновской псевдощели в экспериментах по туннелированию электронов в двумерный электронный газ [1]. Эти измерения позволяют определить плотность состояний на уровне Ферми. Сама кулоновская щель была предсказана в давних работах Эфроса и Шкловского. Качественно ее возникновение можно объяснить и на пальцах для случая заполнения локализованных состояний, хаотически разбросанных по пространству и имеющих различную энергию. Если состояния глубоко под уровнем Ферми заполнены полностью и плотность электронов соответствует плотности этих состояний, то вблизи уровня Ферми происходит конкуренция. Из-за кулоновского взаимодействия электрону может быть выгодно с целью минимизации полной энергии системы отойти от своего соседа подальше, пусть даже на локализованное состояние с несколько большей энергией. Таким образом, не все одночастичные состояния заполнены на уровне Ферми, это и обусловливает образование псевдощели.

Однако долгое время она не поддавалась наблюдению. Теперь это удалось! Но самое поразительное, что ее величина оказывается зависимой от магнитного поля, чего быть не должно. Возможно, это вовсе и не кулоновская, а какая-то другая щель, например, вызванная спиновой поляризацией. Именно так считает другая команда физиков из Bell Labs и Massachusetts Institute of Technology [2].

  1. Phys. Rev. B, 2001, 61, p.2939

  2. Phys. Rev. Lett., 1999, 83, p.3258

Метрология в нанотехнологии

Danish Institute for Fundamental Metrology (DFM) подготовил проект доклада для группы экспертов ЕС по вопросу метрологических измерений в области нанотехнологий. Авторы доклада просят присылать им свои комментарии и замечания. Адрес в Интернете:

http://www.cordis.lu/nanotechnology/src/debate-metrology.htm

ФУЛЛЕРЕНЫ И НАНОТРУБКИ



Взгляд на волновые функции

Предпринимаемые в настоящее время усилия по изготовлению электронных устройств на молекулярном уровне требуют разработки новых методов контроля параметров нанообъектов, в том числе контроля пространственной формы волновых функций индивидуальных электронных состояний. Обычно о молекулярных волновых функциях судят по теоретическим расчетам. Однако наряду с теорией хотелось бы иметь в распоряжении инструмент для непосредственной экспериментальной “визуализации” электронных состояний в наноструктурах.

Одним из инструментов исследования наноструктур может стать сканирующая туннельная спектроскопия. Действенность этой методики была недавно продемонстрирована голландскими (Delft University of Technology) и американскими (Rice University) физиками в работе [1] на примере однослойных углеродных нанотрубок. Исследование индивидуальных электронных состояний в нанотрубках осложняется тем, что из-за их сравнительно большой длины энергетический спектр является практически непрерывным, и близкие по энергии состояния неотличимы друг от друга. Чтобы обойти это препятствие, авторы [1] отрезали от нанотрубок короткие сегменты длиной около 30нм и сканировали их вдоль длины и ширины. Полученные в [1] изображения хорошо согласуются с предсказанной формой волновых функций электронов в нанотрубках и демонстрируют пространственные осцилляции с ожидаемым периодом и ориентацией. Более того, на основании детального анализа всей совокупности полученных данных в [1] была определена зонная структура нанотрубок. Как и ожидалось, в металлических нанотрубках закон дисперсии оказался линейным. Наблюдалась также интерференция между электронами в различных зонах. На повестке дня – применение СТМ к зондированию волновых функций в других наноструктурах.

1. Nature, 2001, 412, p.617

Работа выхода многослойной нанотрубки

Наиболее многообещающее и продвинутое применение углеродных нанотрубок - маломощные холодные катоды – обязано их повышенной эмиссионной способности. Ключевой вопрос здесь - величина работы выхода электрона для индивидуальной нанотрубки. Существующие оценки значений этого параметра у различных исследователей отличаются между собой в несколько раз и находятся в пределах от 1 до 7эВ. В большинстве работ эту величину не измеряли непосредственно, а оценивали на основании обработки измеренных эмиссионных характеристик с использованием зависимостей Фаулера-Нордгейма. Отсюда особую ценность приобретают прямые измерения, выполненные недавно группой исследователей из Технологического Института г. Атланта, США. В их эксперименте индивидуальные многослойные нанотрубки диаметром от 14 до 55нм, полученные электродуговым методом, вставляли в графитовое волокно. Противоэлектродом служил золотой шар. Из-за различия значений работы выхода электрона для нанотрубки и поверхности золота даже при отсутствии внешнего напряжения между двумя электродами образуется разность потенциалов, величина которой пропорциональна разности в значениях работы выхода электродов. Указанная разность может быть измерена непосредственно из зависимости частоты собственных механических колебаний нанотрубки от величины напряжения, приложенного к межэлектродному промежутку. Оказалось, что значение работы выхода для проводящих многослойных нанотрубок на 0.2 – 0.4эВ ниже, чем соответствующее значение для графита (5эВ). Эта величина не зависит от диаметра нанотрубки. А.Елецкий

Appl. Phys. Lett., 2001, 78, p.1757

МАГНИТОЭЛЕКТРОНИКА



Модификация поверхности – путь
к магнитной памяти

Российские ученые из Нижнего Новгорода В.Н.Петряков, Ю.К.Веревкин (Институт прикладной физики РАН) и Н.И.Полушкин, Н.Н.Салащенко (Институт физики микроструктур РАН) в содружестве с американскими коллегами из University of Nebraska cформировали магнитные наноструктуры методом лазерной интерференционной литографии [1]. Исходные пленки Сo-C толщиной 40нм с равным содержанием кобальта и углерода получены совместным распылением на поверхность стекла. При таком составе они не проявляют магнитных (ферромагнитных) свойств. С помощью эксимерного лазера с длиной волны 308нм и мощностью 0.17Джсм-2 на поверхности пленки образуется интерференционная картина с периодом, равным половине длины волны. В местах максимума интенсивности излучения происходит локальный лазерный отжиг пленки, приводящий к появлению ферромагнитных свойств. Микроскопические исследования показали, что в исходной Со-С фазе нанокристаллы Со имеют размер 1-2нм и не проявляют магнитных свойств. После лазерного отжига кластеры кобальта разрастаются до размеров 10-25нм, что и обусловило появление ферромагнетизма.

Изображение в АСМ (а,b) и МСМ (с, d) периодических рядов структурированных Co–C пленок после экспонирования интерференционным лазером. Перпендикулярное поле 1700 эрстед приложено параллельно (с) и антипараллельно (d) нормали к плоскости пленки в течение сканирования.

Можно сказать, в противоположном направлении пошли французские (CNRS) и английские исследователи (University of Glasgow) [2]. В качестве исходных они брали многослойные пленки Co/Pt с хорошими магнитными свойствами. Облучение поверхности хорошо сфокусированным пучком ионов галлия приводит к разрушению ферромагнитного состояния пленки в местах попадания этих ионов. В.Вьюрков

  1. Appl. Phys. Lett., 2001, 79, p.2606

  2. J. Appl. Phys., 2001, 90, p.3850

ИПТМ содействовал рекорду испанцев

Совсем недавно ПерсТ (вып.18 с.г.) сообщил о рекордном значении магнитосопротивления (60%), достигнутом испанскими физиками (Instituto de Microelectronica de Madrid-IMM, Universidad de Zaragoza-CSIC, Universitat de Barcelona) на эпитаксиальном туннельном контакте Fe(001)/MgO(20 Å)/FeCo(001). В цитируемой работе авторы особое внимание уделили процессу формирования тонких монокристаллических металлических пленок и совершенному слою окисла между ними. Это как раз и были те обстоятельства, которые позволили добиться рекорда. К сожалению, в статье не упомянуты российские коллеги испанских авторов из Института проблем микроэлектроники и особочистых материалов (Черноголовка) Г.М.Михайлов, А.В.Черных и Ш.М.Маликов, которые и наладили для них указанную технологию. Досадная оплошность ликвидирована в недавней публикации, в которой сотрудники ИПТМ включены в качестве соавторов.

Surface Science, 2001, 482-485, p.910-915

КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ



Кубит из квантового провода

Будет несколько обидно, если квантовый компьютер будет создан скоро. Тогда одна из его конструкций «забьет» все остальные и мы утратим возможность любоваться всякими весьма забавными предложениями. Совсем недавно такого рода предложение поступило от группы известного «моделятора» квантовых полупроводниковых структур D.K.Ferry (Arizona State University).

Его концепция кубита состоит в использовании двойного квантового провода, содержащего сплошной промежуток (см. рисунок). Приложение магнитного поля к этому промежутку позволяет переключать электронный поток из одного рукава в другой. В этом состоит реализация управляемого магнитным полем логического NOT вентиля. Расчеты были основаны на решении уравнения Шредингера. Полное переключение в волноводе с сечением 35x40нм2, «вырезанном» из двумерного электронного газа с поверхностной плотностью
1.41011см-2 (энергия Ферми равна 5мэВ), обеспечивало магнитное поле, равное 1.5Т, при длине сплошного промежутка 170нм. Принципиальную возможность использования квантовых проволок для квантовых вычислений определяет исключительно большая длина свободного пробега носителей в полупроводниковых гетероструктурах на основе материалов А3В5, достигающая сотен микрон.

К сожалению, авторы, как истые теоретики, не запачкали руки о то, как изготовить подобную структуру.

Appl.Phys.Lett. 2001, 79, p.2214

Однофотонный детектор

Интерес к однофотонным детекторам возник в связи с грядущей эрой квантовых коммуникаций. В 1999 году группа из University of Tokyo и Japan Science and Technology Corp. (JST), которую возглавляет S.Komiyama (в нее входят и два бывших российских ученых О.Астафьев и В.Антонов), изготовила подобный фотодетектор, основанный на переходах электронов между уровнями Ландау в многоэлектронной квантовой точке, играющей роль центрального островка в структуре одноэлектронного транзистора. Недостатком прибора является потребность в большом магнитном поле.

Н
едавно эти же авторы сообщили о более свежей версии детектора. Она основана на фотоионизации дополнительной квантовой точки (D2), расположенной рядом с основной (D1). Магнитное поле в этом случае не требуется. Удаление электрона из квантовой точки D2 приводит к ее положительному заряду, влияющему на протекание тока через другую большую квантовую точку D1. На рисунке представлены схема детектора (а), условное изображение фотоионизации квантовой точки (электрон уходит во вторую квантовую точку или в электрод) (b) и смещение пика проводимости одноэлектронного транзистора, включающего квантовую точку D1 под влиянием фотоионизации квантовой точки D2 (c). Поскольку детектор реагирует на субмиллиметровое излучение, прямая фотоионизация невозможна из-за слишком малой энергии фотона. Авторы объясняют ее тем, что излучение сначала раскачивает плазменную волну, а ионизацию вызывает гораздо более энергичный плазмон.

Однако если согласиться с этим объяснением, то пропадает свойство «однофотонности» детектора. Но все-таки остается свойство чрезвычайно высокой чувствительности, которая объективно измерена на эксперименте. А что касается объяснения эффекта, то и сами авторы признают, что не совсем в нем уверены.

Cond-mat/0104104, 6 Apr. 2001

ФИНАНСИРОВАНИЕ



Новые нано-центры при шести
университетах США

В 2001 ф.г. государственное финансирование программы National Nanotechnology Initiative (NNI) составило 422 млн. долл. Львиную долю этого бюджета (150 млн. долл.) получит National Science Foundation (NSF) – одно из шести федеральных агентств (Department of Defense, Depart. of Energy, National Institutes of Health, NASA, Depart. of Commerce), инициаторов этой программы. Из 150 млн. долл. NSF выделяет 65 млн. долл. на 5 лет шести университетским центрам для продвижения исследований в нанотехнологии и для разработки учебно-образовательных программ с целью подготовки специалистов в этой области.

Новые нанотехнологические университетские центры США

Университет

Название центра

Объекты исследования

Финансирование
(млн. долл./5 лет)

Columbia Univ.

Центр по исследованию
электронного транспорта в
молекулярных наноструктурах

Зарядовые эффекты и их использование в электронных, фотонных и медицинских устройствах

10.8

Cornell Univ.

Центр внедрения наносистем в информационные технологии

Наноэлектроника, нанофотоника,
наномагниты

11.6

Harvard Univ.

Центр научных исследований
наносистем

Приборные реализации наносистем;
междисциплинарные исследования
наноструктур

10.8

Northwestern Univ.

Центр по формированию
нанорисунков и сенсорным
технологиям

Формирование рисунков в мягких
материалах для создания химических и биологических сенсоров.

11.1

Rensselaer Polytechnic Uiniv.

Центр исследования управляемых наноструктурных сборок

Композиты, сенсоры, приборы для
введения лекарств

10.2

Rice Univ.

Центр нанотехнологических
исследований применительно к биологии и охране окружающей среды

Нанобиология и нанохимия; совместимость «мокрых» и «сухих» молекул (по определению R.Smalley «мокрые» молекулы – это молекулы живых организмов, «сухие» молекулы – это наноматериалы искусственного, неприродного происхождения. Решение проблемы совместимости «мокрых – сухих» молекул – ключ к созданию новых диагностических методов в медицине и новых методов охраны окружающей среды.)

10.5

/print_doc.cfm?doc_id=2213 от 20.09.01.

ВЕСТИ С КОНФЕРЕНЦИЙ



МНЭ'2001. Сохраняется шанс на лидерство в разработке квантового компьютера

Звенигородский пансионат Липки стал традиционным местом проведения российских конференций «Микро- и наноэлектроника». Там же в первую неделю октября состоялась очередная конференция. Пансионат оказался очень удобным для труда и отдыха. Эпицентром дружеских и деловых встреч стала центральная ротонда с зимним садом и фонтанами.

Первым на открытии конференции был доклад А.А.Орликовского, посвященный перспективам кремниевых полевых транзисторов. По оценкам экспертов, в ближайшее десятилетие можно смело делать ставку на кремний. Современная кремниевая технология уже позволяет изготавливать отдельные транзисторы с длиной затвора около 10нм.

Доклад К.А.Валиева также был устремлен в будущее, но пока неизвестно, насколько удаленное, поскольку речь шла о квантовых компьютерах. Отрадно, что хоть в этой области Россия пока не отстает от Запада значительно: у них почти ничего и у нас почти ничего. Однако, хотя бы сохранение паритета в этой области требует значительного увеличения ассигнований. Ведь никто пока не может сказать, кто и когда пойдет в отрыв в этой изнурительной гонке за лидерство. Сегодня шансы остаются и у России.

Представленные на конференции доклады охватывали огромный диапазон исследований – от изготовления и изучения известных структур до предложенных впервые. Это - полевые нанотранзисторы, биполярные транзисторы, приборы на квантовых точках и квантовых проволоках, резонансно-туннельные диоды, приборы на пористом кремнии, микросенсоры, сверхскоростные СБИС. Впервые в практике МНЭ работали секции по микросистемной технике, по биомолекулярным структурам, по базовым элементам квантового компьютера. Большой интерес вызвали доклады по магнитным микро- и наносистемам, магнитной (спиновой) памяти.

Следует также отметить, что неизменное своеобразие конференции заключается в том, что практически все представляемые доклады принимаются. Таким образом, авторы всегда имеют возможность, воспользовавшись конференцией, рассказать о своих успехах и найти заинтересованных лиц.

Активно обсуждались новые захватывающие идеи в области спиновой электроники и квантового компьютера, а также возможности продвижения новых идей в промышленные изделия.

На конференции было представлено более 600 устных и стендовых докладов.

В.Вьюрков

Углеродные наноструктуры захватывают позиции в водородном материаловедении

С 16 по 22 сентября с.г. в Алуште (Крым, Украина) проходила VII Международная конференция «Водородное материаловедение и химия гидридов металлов». Организаторами и спонсорами конференции выступили Национальная академия наук Украины, Международная ассоциация водородной энергетики (США), Российская академия наук и Научный комитете НАТО (Бельгия). 243 участника представили 57 устных и 132 стендовых доклада. Во многом благодаря инициативе и энтузиазму председателя Программного комитета Д.В.Щура (Украина) и его заместителя Б.П.Тарасова (Черноголовка, Россия) особое место в программе конференции было уделено новым материалам – фуллеренам и другим углеродным наноструктурам. Ю.А.Осипьян выступил с докладом «Фуллерены. От открытия до технического применения», А.Я.Вуль рассказал о применении фуллеренов и сообщил последние новости («Применение фуллеренов. Последние новости»). Много интересных докладов было представлено на секциях «Получение фуллеренов и углеродных наноматериалов» и «Физико-химические свойства углеродных наноматериалов».

Как хорошо известно читателям ПерсТ’а, водородосорбционные свойства новых углеродных наноматериалов в последнее время привлекают внимание исследователей во всем мире, и , как написал в обращении к делегатам президент НАН Украины Б.Е.Патон, «вселяют в души ученых-водородчиков определенный оптимизм». Большой интерес и особенно оживленную дискуссию на конференции вызвали доклады, в которых обсуждались перспективы использования наноуглеродных материалов для сорбции и хранения водорода. Это - «Перспективы использования новых углеродных материалов для хранения водорода на борту автомобиля», О.К.Алексеева (ИВЭПТ РНЦ КИ); «Использование углеродных наноструктур для хранения водорода», Б.П.Тарасов (ИПХФ РАН, Черноголовка); «Углеродные наноструктуры: проблемы и перспективы», О.Н.Ефимов (ИПХФ РАН, Черноголовка).

КОНФЕРЕНЦИИ



22-25 April 2002. 2002 Applied Computational Research Society Joint Meeting - Computational Micro and Nano Technology, San Juan Marriott Resort & Stellaris Casino, San Juan, Puerto Rico.

1-8 June 2002. International Conference on Superconductivity, CMR & Related Materials: Novel Trends, Giens, France.

Abstract deadline February 1, 2002.

Contact:

Annette Bussmann-Holder, MPI, Stuttgart; Germany e-mail: a.bussmann-holder@fkf.mpg.de

Vladimir Kresin, LBL, Berkeley, USA

e-mail: vzkresin@lbl.gov.

16-20 June 2002. ICMC'2002 - International Cryogenic Materials Conference - Superconductors for Practical Applications (SPA'2002), Xi'an, China.

Contact:

E-mail smrc@.

Abstract deadline January 15, 2002

Научные семинары России

О том, что научная жизнь в России не остановилась, можно судить по потоку публикаций в российской и зарубежной научной прессе. Но о том, что она еще и кипит, Вы можете узнать в новом разделе "Научные семинары" на Интерент-сайте . Сколько в России активно и постоянно действующих научных семинаров? На сайте уже собрана информация почти о двух сотнях семинаров, представленных в Интернете, по различным областям науки (в основном по физике, астрофизике и математике). Большая часть представленных на сайте семинаров имеет московскую прописку, но собранная даже фрагментарная информация по семинарам регионов России подтверждает тот отрадный факт, что и там научные дискуссии не утихают.

Сейчас по семинарам Москвы на сайте анонсируются 6-11 докладов в день, но хотелось бы в перспективе создать информационную систему, охватывающую всю Россию. Эта система создается в рамках развиваемой при поддержке РФФИ научной сети . Понятно, что построение действительно представительной информационной системы невозможно без содействия научного сообщества. Поэтому обращается к секретарям и руководителям семинаров с просьбой включить наш адрес doska@ в список электронной рассылки семинара. «Доска» также не откажется от услуг энтузиастов.

Точный адрес семинарского раздела на сайте -/doska/doska.html

Евгений Онищенко,

пока единственный сотрудник "Доски"

НОВОСТИ ФИЗИКИ
В БАНКЕ ПРЕПРИНТОВ


Туннелирование единичного фотона

Изучено прохождение света через очень узкие (диаметр сравним с длиной волны фотона) отверстия в толстой пленке золота, покрытой слоем полидиацетилена. Из-за нелинейности оптических характеристик материала покрытия коэффициент пропускания света через некоторые отверстия выходил на насыщение при очень низкой интенсивности излучения (несколько тысяч фотонов в секунду). Теоретическое объяснение этого эффекта дано в терминах “фотонной блокады”, схожей с явлением кулоновской блокады, которая имеет место при туннелировании единичных электронов. Соответственно, авторы полагают, что они имели дело с туннелированием единичных фотонов. Обсуждаются возможные применения однофотонного туннелирования в квантовых системах связи и обработки информации.

I.I.Smolyaninov et al.,

http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0110252

Contact: Igor I. Smolyaninov <smoly@glue.umd.edu>

О сверхпроводимости железа под давлением

Недавнее открытие сверхпроводимости железа под большим давлением оставило открытым вопрос о механизме этого явления. Авторы препринта приводят результаты первопринципных расчетов параметров электрон-фононного взаимодействия. Они приходят к выводу, что обычный фононный механизм может объяснить возникновение сверхпроводимости при P=15ГПа, но не ее резкое исчезновение при P=30ГПа. По-видимому, существенную роль здесь играют спиновые флуктуации (ферромагнитные или антиферромагнитные).

I.I.Mazin et al.,

http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0110297

Contact: Igor Mazin <mazin@dave.nrl.navy.mil>

Использование микромеханического резонатора в одноэлектронике

Изготовлен механический электроскоп, работа которого основана на эффекте изменения резонансной частоты кантилевера микронного размера в присутствии электрического заряда. Это устройство может применяться для “одноэлектронных измерений” в мезоскопических электронных системах и для обработки информации в твердотельных квантовых компьютерах.

R.E.S.Polkinghorne and G.J.Milburn,

http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0110302;

Phys. Rev. A 64, 042318 (2001)

Contact: R. E. S. Polkinghorne

<rodneyp@raman.physics.uq.edu.au>

Устойчивость денег в модели Изинга

Для нормального функционирования экономики важным условием является устойчивость суммарного количества денег M у субъектов рынка. Автор препринта показывает, что для описания величины M как динамической переменной можно использовать спиновую модель Изинга. Он демонстрирует возможность фазового перехода первого рода из устойчивого состояния в неустойчивое (инфляционное). Определена область параметров модели, в которой реализуется устойчивая фаза.

S.Bornholdt and F.Wagner, http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0110201

Contact: Stefan Bornholdt

<bornhol@theo-physik.uni-kiel.de>

Почему рухнули небоскребы?

В препринте представлены результаты применения простых законов механики к анализу крушения двух американских небоскребов (“Twin Towers”) вследствие недавнего террористического акта. В частности, рассчитано движение “фронта коллапса”. Рекомендуется конструкторам и архитекторам.

A.A.Ramos, http://xxx.lanl.gov/abs/physics/0110043

Contact: Andres Asensio Ramos <aasensio@ll.iac.es>

Экспресс-бюллетень “ПерсТ” выходит при поддержке

Министерства промышленности, науки и технологий РФ,

Научных Советов Российских научно-технических программ:

“Актуальные направления в физике конденсированных сред”,

“Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники”, “Физика твердотельных наноструктур”

Редактор: С.Корецкая тел: (095) 930 33 89, e-mail: perst@

В подготовке выпуска принимали участие:

О.Алексеева, В.Вьюрков, Л.Журавлева, А.Елецкий, Л.Опенов

Компьютерный ввод, макет: О.Хлыстунова

Тираж: Ю.Мухин

Адрес редакции: 117296 Москва, Ленинский проспект, 64А



Скачать документ

Похожие документы:

  1. Информационный бюллетень наноструктуры сверхпроводники фуллерены Том 8, выпуск 19 15 октября 2001г

    Информационный бюллетень
    Открытые конкурсы в рамках федеральной целевой научно-технической программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002 - 2006 годы
  2. Центры коллективного пользования российской академии наук москва 2004 удк центры коллективного пользования Российской академии наук

    Документ
    ЦКП «Исследования сильно-коррелированных систем в экстремальных условиях сверхнизких температур, высоких давлений, сильных электрических и магнитных полей» 9

Другие похожие документы..