Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
Уоррен также просил меня, правда, не слишком настойчиво, ввести в состав персонажей "хорошего" адвоката....полностью>>
'Документ'
Процессы классообразования у славян проходили на фоне формирования племенных союзов, распада большой семьи и перерастания родовой общины в соседскую. ...полностью>>
'Диплом'
Д. г. Норильск, Россия ОО «ТРИЗ-Норильск» Диплом III степени; памятный подарок Сметанин Дмитрий Преподаватель – Попко Е....полностью>>
'Документ'
В результате резкого потепления в период активного снеготаяния, выпадения значительного количества осадков, возможно возникновение чрезвычайных ситуа...полностью>>

Информационный бюллетень наноструктуры сверхпроводники фуллерены Том 9, выпуск 21 15 ноября 2002 г

Главная > Информационный бюллетень
Сохрани ссылку в одной из сетей:

Информационный бюллетень


наноструктуры сверхпроводники фуллерены


Том 9, выпуск 21 15 ноября 2002 г.

В этом выпуске:

СВЕРХПРОВОДНИКИ

И далее ...

РНЦ "Курчатовский институт" Новые разработки для успеха сверхпроводимости

ФУЛЛЕРЕНЫ И НАНОТРУБКИ

Сквозь углеродные нанотрубки можно продувать газы

Полевая электронная эмиссия из индивидуальных углеродных нанотрубок

НАНОСТРУКТУРЫ

Быстрый прямой импринт наноструктур… в кремнии

Закат Siнайской империи?

СПИНТРОНИКА

Сверхизлучение в молекулярных магнетиках

КВАНТОВЫЙ компьютер

Экспериментальная реализация почти универсальной квантовой операции NOT

___________________

Второе начало термодинамики, если и нарушается, то мало и ненадолго

КОНФЕРЕНЦИИ

7

17 - 20 марта 2003. Нижний Новгород. Всероссийское Совещание НАНОФОТОНИКА.

Сверхпроводимость лития (Tc=20К, P=48ГПа)

Известно большое число теоретических расчетов, согласно которым легкие химические элементы должны быть сверхпроводниками с высокой критической температурой Tс. Для перевода в сверхпроводящее состояние их надо сжать при очень большом давлении. Например, для водорода оценки дают P > 400ГПа [1]. Такие давления трудно получить в лабораторных условиях, поэтому предсказания сверхпроводимости водорода пока остаются лишь предсказаниями.

Третьим по счету элементом в Периодической системе является литий. В отличие от водорода (который, прежде чем говорить о сверхпроводимости, надо сначала сжать до твердого металлического состояния, что само по себе весьма нелегко) литий является металлом уже при нормальном давлении. Поэтому можно ожидать, что давление, необходимое для перевода лития в сверхпроводящее состояние, существенно меньше, чем для водорода [2]. Однако исследованию электрических свойств лития при высоких давлениях препятствует его высокая химическая активность: будучи помещен в алмазную ячейку для сжатия, литий вступает в реакцию с алмазом, и ничего не получается…

В работе японских физиков из Osaka University и University of Tokyo [3] наконец-то было экспериментально доказано, что литий под давлением действительно становится сверхпроводником. Это происходит при P  30ГПа, причем увеличение P до 48ГПа ведет к росту Tc до 20К. Это – самая высокая Tc для “простых” одноэлементных сверхпроводников. Справедливости ради надо сказать, что вывод о сверхпроводимости лития был сделан в [3] лишь на основании измерений температурной зависимости электросопротивления. Авторам [3] не удалось измерить диамагнитный отклик (эффект Мейснера) из-за технических трудностей. Однако “резистивная” Tc уменьшается при воздействии сильного магнитного поля (например, при P = 34ГПа величина Tc падает от 8К при H = 0 и до нуля при H = 3Тл), поэтому никто не сомневается, что в [3] наблюдали именно сверхпроводимость, а не “паразитный” эффект.

Итак, для лития теоретические прогнозы подтвердились. Если они подтвердятся и для водорода, то мы получим сверхпроводник с комнатной критической температурой.

1. Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 118.

2. Phys. Rev. B 1997, 55, 15130.

3. Nature 2002, 419, 597

РНЦ "Курчатовский институт". Новые разработки для успеха сверхпроводимости.

Новые инженерные разработки, выполненные в Курчатовском институте в интересах сверхпроводимости, прокомментировал для ПерсТ'а проф. Виктор Ефимович Кейлин, руководитель отдела сверхпроводящих магнитов ИСФТТ РНЦ КИ.

В.Е.К. Мне приятно начать этот комментарий с поздравления своему коллективу в связи с успешным началом испытаний подвесов для сверхпроводящих магнитов детектора АTLAS. Кратко о сути. Как ПерсТ уже неоднократно сообщал, одним из наиболее крупных проектов, использующих сверхпроводящие магниты, является сооружаемый в ЦЕРН'е ускоритель LHC - Большой адронный коллайдер. АTLAS - один из трех детекторов для этого ускорителя. Это - огромное сооружение. Основной магнит детектора - тороидальный с длиной окружности 24м и поперечным размером ~9м. Сила, которая действует на каждый из 8 магнитов, составляет ~160 тонн. Эти силы надо держать, причем без большого притока тепла. Прочные подвески, которые будут удерживать магниты, изготавливают из специального титанового сплава у нас в России. Длина каждой подвески - 1.3м, поперечное сечение ~ 30см2.

Поскольку не ясно, как этот материал будет вести себя (не будет ли охрупчиваться?) при низких температурах, то возникла необходимость испытать все подвески при гелиевой температуре и при нагрузке 250 тонн (с запасом). Для этих целей в Курчатовском институте был сконструирован и изготовлен специальный стенд с криостатом диаметром 0.7м и высотой 3.2м. Сама сила создаётся гидравлическими домкратами с электрическим приводом. Каждый домкрат создает усилие до 100 тонн. Стенд рассчитан на проведение испытаний, как при низких, так и при комнатных температурах. В разработку мы вложили много сил, времени и денег, и теперь надо находить другие заказы, чтобы оправдать эти усилия и расходы. Мы можем испытывать любые изделия при столь больших нагрузках и в различных температурных диапазонах.

Что касается подвесов для ЦЕРНа, то они прекрасно выдержали испытания.

Мы участвуем в разработке элементов испытательного стенда для южнокорейского токамака KSTAR. Стенд предназначен для испытаний массивных сверхпроводящих образцов при очень больших токах (многие десятки килоампер). Для этого стенда мы разработали и изготовили сверхпроводящий трансформатор.

Проводники для токамаков, как правило, не испытывают прямым вводом тока от источника питания, поскольку для этого требуются токовводы и источники питания на десятки килоампер. Поэтому при испытаниях ток в образцы вводят индуктивно, используя сверхпроводящие трансформаторы. Это не совсем обычный трансформатор. У него есть первичная обмотка, а к концам вторичной обмотки присоединяют кусок испытываемого провода. Наш трансформатор рассчитан на токи до 50кА, которые вводятся в течение 1 секунды. Испытания самого трансформатора мы уже провели.

Макет ВТСП линии электропередач - это очередная наша разработка совместно с ВНИИНМ и ВНИИКП. Реально рассчитана на рабочий ток до 2кА. Пока длина линии всего 2.5м. Так что, как видите, до сетевых линий еще далековато. Но путь намечен. Провод в макете - бочваровский, саму линию делал В.Е.Сытников (ВНИИКП), а криогенную часть - мы, Курчатовский институт. Проведены первые испытания при токах 1кА и 2кА. Вводили и переменный, и постоянный токи. Работа выполняется по договору с Минатомом

Из оригинальных перспективных разработок хочу назвать новую технологию для создания MgB2 проводов. Это - совместная работа двух подразделений Курчатовского научного центра - Института сверхпроводимости и физики твердого тела и Института ядерного синтеза. Уже первые эксперименты обнадеживают - Tc = 39К, плотность критического тока ~104А/см2. Есть еще существенное поле для оптимизации процесса.

ФУЛЛЕРЕНЫ И НАНОТРУБКИ

Сквозь углеродные нанотрубки можно продувать газы

Углеродные нанотрубки легко заполняются газообразными и жидкими веществами. А недавно методом компьютерного моделирования показано, что они могут служить каналами в устройствах селективной транспортировки, разделения и очистки газов. Исследование выполнено группой из Университета Питсбурга (Пенсильвания, США).

Авторы, используя численный метод молекулярной динамики, исследовали диффузионный перенос СН4 и Н2 в однослойных нанотрубках диаметром 1.36нм и 0.81нм, соответствующим индексам хиральности (10, 10) и (6, 6). Полученные результаты сравнили с аналогичными результатами расчетов для пористых цеолитов различного состава с диаметром пор 0.8нм. В расчетах использовали найденные ранее потенциалы взаимодействия газообразных молекул с атомами С или О, входящими в состав углеродных нанотрубок и цеолитов. Согласно расчетам, коэффициент диффузии СН4 и Н2 в нанотрубках в диапазоне давлений от 0 до несколько сот атмосфер достигает значений 1см2/с, что на 2-3 порядка превышает соответствующее значение для цеолитов. При этом коэффициент диффузии в нанотрубках с хиральностью (6, 6) с диаметром 0.81нм в несколько раз превышает соответствующее значение для нанотрубок (10, 10) с большим диаметром (1.36нм).

Причиной различия коэффициентов диффузии газов в каналах цеолитов и нанотрубок является различие энергий активации для десорбции молекул на поверхности канала. В то время как для цеолитов значение этого параметра, вычисленное с использованием потенциалов Ленарда-Джонса, составляет 4 – 4.5кДж/моль для СН4 и 2.5 - 3кДж/моль для Н2, в случае углеродных нанотрубок энергия активации не превышает 0.066кДж/моль.

Хотя точность полученных в работе результатов не высока, что связано с приближенным характером использованных расчетных моделей, нет никаких сомнений, что нанотрубки обладают уникальными транспортными характеристиками. Они способны пропускать газовые потоки, на порядки превышающие соответствующие значения для традиционно используемых в этом качестве мембран на основе цеолитов.

А.В.Елецкий

Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 185901

Полевая электронная эмиссия из индивидуальных углеродных нанотрубок

Высокие эмиссионные характеристики углеродных нанотрубок лежат в основе нового класса электронных эмиттеров с уникально низкими напряжениями питания и энергопотребления. Для их широкого внедрения (в качестве холодных катодов цветных дисплеев и источников оптического излучения) необходимо иметь достоверные данные о поверхностной однородности эмиссионных характеристик и стабильности эмиссионного тока во времени. В литературе множество противоречивых данных, вероятнее всего, связанных с различным качеством образцов у разных авторов. В недавно опубликованной работе представлены результаты измерения эмиссионных характеристик отдельных нанотрубок в матрицах.

Группа исследователей из университетов Лиона и Орсе (Франция), а также Кембриджского университета (Англия) исследовали вертикально ориентированные многослойные нанотрубки, выращенные на кремниевой подложке методом химического осаждения паров в плазме. Газовый разряд зажигался в смеси С2Н2:NH3 над подложкой, поверхность которой, покрытая регулярно расположенными частицами Ni катализатора, поддерживалась при Т=1000К. Исследуемый образец эмиттера представлял собой матрицу из 40х40 индивидуальных нанотрубок диаметром ~60нм и высотой ~5мкм, расположенных на расстоянии 100мкм друг от друга. Эмиссию индивидуальных нанотрубок изучали в вакууме 10-9-10-8Торр с помощью сканирующего сферического зонда диаметром 200нм из сплава Pt-Ir. Зонд выполнял роль анода. Напряженность электрического поля вблизи головки нанотрубки рассчитывали методами электронной оптики для каждого расстояния между нанотрубкой и зондом.

Эмиссионные вольт-амперные характеристики (ВАХ), представляющие собой зависимости тока электронной эмиссии от напряженности электрического поля, были получены для 30 индивидуальных нанотрубок. Хорошие эмиссионные свойства и их высокая воспроизводимость достигались только после предварительной очистки поверхности эмиттеров от сорбированных примесей. Качественная очистка осуществлялась при пропускании через образец большого эмиссионного тока. Характер полученных ВАХ соответствует известной зависимости Фаулера-Нордгейма в широком диапазоне изменения тока эмиссии. Ток эмиссии индивидуальной нанотрубки 1пА достигается при напряженности поля вблизи головки нанотрубки ~3000В/мкм. Интенсивность эмиссии остается стабильной во времени при токах ниже нескольких мкА.

Предварительная очистка существенно снижала и разброс эмиссионных характеристик различных индивидуальных нанотрубок - для неочищенных нанотрубок разброс в тысячи раз, для прошедших очистку не более 30%.

А.В.Елецкий

Appl. Phys. Lett. 2002, 81, p.343

НАНОСТРУКТУРЫ

Быстрый прямой импринт наноструктур… в кремнии

Еще недавно смотревшийся, как экзотическая и сомнительная процедура - импринт, стараниями сотрудников лаборатории наноструктур Принстонского университета буквально «вступил» в кремний.

На пластине из кварцевого стекла толщиной 1мм методом импринт-литографии и реактивным ионным травлением вырабатывается микрорельеф глубиной от 10нм до десятков микрон. Вырезанная из нее квадратная форма (1.51.5мм2) и пластина кремния зажимаются винтами между пластинами пресса с винтовой затяжкой, причем верхняя пластина изготовлена из кварца, пропускающего 93% излучения XeCl лазера (=308нм) с размером светового пятна 2.52.5мм2. При потоке мощности в 1.6мДж/см2 за 20нс кремний плавится, расплав достигает толщины до 300нм и сохраняется в течение 220нс. При этом форма продавливает расплавленный слой кремния. Контроль процесса осуществлялся HeNe лазером (=633нм) по изменению во времени отражательной способности кремния на этой длине волны - при плавлении с переходом в металлическое состояние отражение удваивается. Импринт происходит по всей поверхности чипа. Полученные рельефы представляли собой, например, регулярные канавки с шагом 300нм и глубиной 110нм, изолированные меза-формы с размерами в плане 88мкм2 при высоте 110мкм. Таким же образом, но при меньшей энергии плавления, может формоваться и слой поликремния, в чем авторы усматривают возможность «печатать» затворы МОП полевых транзисторов.

Такая податливость кремния «лазерному» импринту является следствием того факта, что вязкость расплавленного кремния (0.003см2 с-1) втрое меньше, чем у воды (0.01см2 с-1). Кроме того, возможность свободного отделения формы от пластины кремния обусловлена тем, что несмотря на бòльшую плотность кремния в жидкой фазе (2.52г/см3 ), чем в твердой (2.32г/см3 ), увеличение объема в трех измерениях при переходе от одной фазы к другой (~3%) компенсируется сжатием кремния в твердой фазе вследствие контакта с более холодной кварцевой формой. Авторы оптимистично смотрят на возможности метода – обработку целых пластин диаметром 100-200мм с пошаговым перемещением пластины относительно формы и луча, формовку других материалов (Ge, AIII BV , диэлектрики), заполнение малых отверстий в SiO2 кремнием и уплощение поверхности, что представляет известную проблему в производстве СБИС.

Nature, 2002, 417, pp. 835-837

Закат Siнайской империи?

На конференции «Тенденции в нанотехнологии» («Trends in Nanotechnology», Santiago de Compostela, Spain, 9 - 13 September 2002) было высказано радикальное мнение, что раздел наноэлектроники в Международной маршрутной карте по полупроводникам (ITRS) появится в 2011 – 2016 гг. К 2050 г. стараниями наноэлектроники ITRS прекратит свое существование. Даже если размеры элементов кремниевых схем сократятся до нанометров, на их основе нельзя будет сделать «квантовый компьютер». Тепло, рассеиваемое в таком компьютере (около 100Втсм-2), не только разрушит когерентность хрупких квантовых состояний, но и расплавит кремниевую подложку. С этим мнением можно и не согласиться, ведь энерговыделение оценивалось на основе простого масштабирования современных кремниевых транзисторов к наноразмерам.

Но все-таки, какие альтернативы предполагает сегодняшняя наука в разработке будущих вычислительных устройств?

Умозрительные успехи в молекулярной электронике могут продлить жизнь существующей компьютерной архитектуре фон Неймана. Примером носителя двоичной информации может стать «атомный ключ», представляющий собой крестовину из двух близко расположенных нанопроволок – платиновой и серебряной. Серебряная проволока покрыта твердым электролитом Ag2S (M.Aono, RIKEN). Подвижные атомы серебра в электролите под действием напряжения мигрируют к платиновой проволоке и замыкают ключ. Из подобных ключей можно сформировать логические вентили – строительные блоки компьютера.

Многие группы продемонстрировали, что на основе одностенных углеродных нанотрубок можно сделать разнообразные электронные логические схемы, работающие при комнатной температуре. А вот молекулы ДНК, как оказалось, не пригодны в качестве строительных блоков для компьютера из-за их диэлектрических свойств. Тем не менее, несмотря на реализацию базовых логических функций с помощью наноструктур, массовое изготовление логических молекулярных наносхем сегодня не возможно.

Предлагается ряд радикальных отходов от традиционной компьютерной архитектуры. Это архитектура квантовых компьютеров, где преобладает логика на основе фазы, а не амплитуды. На конференции впервые сообщалось о запутанности двух твердотельных кубитов, хотя и с довольно быстрым временем «распутывания» – 300пс. Кубиты были выполнены на сверхпроводниковых (НТСП) туннельных переходах. Может быть, именно этот прорыв станет началом реализации квантовых вычислений?

Еще одним отступлением от традиционной вычислительной философии является работа с фотонами, а не с электронами. Комплексные структуры, созданные на основе фотонных материалов, могут быть использованы для формирования компьютерных оптических логических вентилей.

Были представлены также на обсуждение некоторые аспекты нанотехнологии, не имеющие прямого отношения к созданию компьютеров завтрашнего дня, например,

  • рассеивание тепла (о котором говорилось выше в связи с кремнием) можно локально контролировать с помощью нанотермометра (диапазон 50–500ºС), изготовленного на основе углеродной нанотрубки диаметром 75нм, заполненной жидким галлием,

  • интеллектуальные газовые сенсоры на основе нанотрубок с чувствительностью до 0.02% H2,

  • дисплеи на полевых эммитерах на основе углеродных нанотрубок.

Л.Журавлева

Nature, 2002, 419, р. 10 October

СПИНТРОНИКА

Сверхизлучение в молекулярных магнетиках

Синтез молекулярных магнетиков и высокоспиновых молекул (из которых собственно и построена кристаллическая решетка магнетиков) продолжает набирать обороты. И хотя до создания «пластмассового магнита», по-видимому, еще далеко, попутно обнаруживается масса неожиданных возможных применений.

Например, сегодня на основе молекулярных магнетиков может быть изготовлен твердотельный мазер нового поколения. Другая, недавно открытая способность магнетиков – способность генерировать сверхизлучение. На возможность существования эффекта сверхизлучения указал Р. Дике еще в 1954 году [1]. Попытки обнаружить эффект экспериментально начались много позже, в 1973 году [2].

Сегодня изучение эффекта cверхизлучения экспериментально и теоретически приобрело массовый характер. Один из последних обзоров на эту тему можно найти в [3], а популярную статью - в [4]. В отличие от лазеров и мазеров, «сверхизлучатели» пока не нашли применения в технике. И причина заключается, прежде всего, в том, что реализовать сверхизлучательный режим значительно сложнее, чем мазерный. Этот режим возникает только в случае высокой концентрации инвертированных молекул и низкой частоты упругих соударений. Длительность импульса cверхизлучения много меньше времени упругих соударений, поскольку для cверхизлучения необходимо отсутствие спин-фононного взаимодействия, разрушающего когерентный характер излучения. Отметим, что мазерный эффект возникает при выполнении противоположного условия, т.е. за время импульса происходит много соударений. Таким образом, сверхизлучение и мазерный эффект представляют собой два предельных случая генерации излучения в инвертированных системах.

Ценность эффекта cверхизлучения заключается фактически в двух обстоятельствах:

  1. он может обеспечить высокую мощность при малой длительности импульса;

  2. для реализации cверхизлучения не нужны хорошие зеркала (достаточно получить отражение с коэффициентом R ~ 1). Последнее представляется весьма важным для решения проблемы мощных источников рентгеновских и гамма-лучей, для которых в настоящее время практически невозможно изготовить зеркала с высоким коэффициентом отражения.

Существование cверхизлучения (мощного когерентного электромагнитного излучения радиодиапазона) в молекулярных магнетиках было предсказано в теоретической работе [5]. Авторы описали релаксацию между туннельно-расщепленными основными состояниями магнитных молекул с двух сторон от барьера, обладающего следующими особенностями:

  • изменение проекции спина на ось магнитного поля SZ >>1, но так как молекула многоспиновая (!), то это приводит к усилению излучения в S раз по сравнению со случаем обычных молекул;

  • поскольку процессы фононной релаксации между рассматриваемыми состояниями сильно подавлены, то электромагнитная релаксация будет преобладать.

Можно было бы подумать, что перечисленные условия будут описывать релаксацию отдельных молекул. Однако, поскольку длина волны излучения, генерируемого при спиновых переходах, обычно намного больше размеров образца, то возникают условия для когерентного взаимодействия молекул через испускаемое электромагнитное излучение. В результате интенсивность излучаемого импульса оказывается пропорциональной квадрату числа атомов (а не прямо пропорциональна их количеству, как это обычно бывает при спонтанном излучении).

Авторы считают, что эксперимент должен начинаться из полностью поляризованного по спину состояния кристалла, пребывающего в однородном магнитном поле достаточной напряженности. Температура должна быть значительно ниже температуры суперпарамагнитного блокирования спинов. Далее, магнитное поле должно изменяться во времени таким образом, чтобы возник резонанс между сближающимися со временем энергетическими уровнями, характеризующимися различными магнитными квантовыми числами. В этом случае, эффект Ландау-Зинера будет обеспечивать переходы между состояниями с последующей релаксацией спин-поляризованного состояния путем сверхизлучения.

В качестве главных претендентов на сверхизлучатели в [5] были упомянуты молекулярные кластеры Fe8 и ацетат Mn12, однако весьма существенно, что результаты расчетов показывают довольно слабую чувствительность сверхизлучения к конкретному типу молекул и кристаллической структуры. Следовательно, начинать поиски можно на любых кристаллах, построенных из высокоспиновых молекул.

Отметим, что сама идея создания сверхизлучения в твердом теле была не только рождена, но и реализована еще в 1976 г. [6], когда удалось наблюдать сверхизлучеие магнитных ядер Al27 в рубине. При этом накачка ядерных спинов в ядерное спин-поляризованное состояние осуществлялась в режиме динамической поляризации. Специфика обсуждаемой работы [5] заключается лишь в том, что в ней рассмотрено сверхизлучение, возникающее при переориентации электронов, а не ядер.

Р.Моргунов

  1. Phys. Rev. 1954, 93, р. 99

  2. Phys. Rev. Lett. 1973, 30, р 309

  3. УФН, 1999, 169, с.113

  4. Соросовский образовательный журнал, 1997, N4

  5. Chudnovsky E.M., Garanin D.A., Phys.Rev.Letters, 2002, 89, p.157201-I

  6. Phys.Rev.letters, 1977, 38, N11, p.602-605.

КВАНТОВЫЙ КОМПЬЮТЕР

Экспериментальная реализация почти универсальной квантовой операции NOT

При классических вычислениях процедура “переворота” бита информации (то есть его изменения с нуля на единицу или с единицы на нуль) называется логической операцией NOT (отрицание). Квантовый аналог логического NOT более сложный. Поскольку квантовый бит (кубит) может одновременно существовать в суперпозиции двух логических состояний (нуля и единицы) с комплексными коэффициентами (амплитудами), оказывается невозможным реализовать универсальное преобразование NOT, то есть переводить исходную суперпозицию в “перпендикулярное” ей состояние при всех возможных значениях амплитуд. Это запрещено законами квантовой механики.

Однако существуют алгоритмы, позволяющие “оптимизировать” квантовую операцию NOT, то есть повысить насколько это возможно вероятность ее успешного осуществления. Теоретическое максимальное значение вероятности равно Pmax = 2/3  0.667. Физики из Италии (Universita “La Sapienza”, Рим), Словакии (Institute of Physics, Братислава) и Ирландии (National University of Ireland, Maynooth) смогли экспериментально довести P до 0.630, то есть почти до максимума [1]. Роль кубитов при этом играла поляризация фотонов. Для генерации фотонных состояний авторы [1] использовали эффект параметрического усиления в нелинейном кристалле – методику, широко применяемую при создании “запутанных” пар фотонов. Однако, в отличие от общепринятого подхода, основанного на спонтанной эмиссии, они инжектировали фотоны в кристалл, что стимулировало эмиссию двух одинаковых фотонов (двух “клонов”). При этом третий фотон испускался в противоположном направлении. Именно этот фотон (точнее, его поляризация) и представлял собой наилучшую возможную реализацию квантового NOT. Заметим, что в [1] была также достигнута близкая к теоретическому максимуму Pmax 5/6  0.833 вероятность P = 0.810 успешного клонирования неизвестного квантового состояния.

Пока не ясно, какие физические носители будут использованы для кубитов в квантовых компьютерах будущего. Может статься, что как раз фотоны-то для этого и не подойдут… Однако работа квантовых репиторов, необходимых в квантовой криптографии для передачи квантовых ключей на большие расстояния, определенно будет основана именно на фотонах. Соответствующая технология будет, по-видимому, близка к описанной в работе [1].

По материалам статьи [1] и комментария к ней [2].

1. Nature. 2002, 419, р. 815.

2. Nature. 2002, 419, р. 797.

______________________

Второе начало термодинамики, если и нарушается, то мало и ненадолго

Группа исследователей из Australian National University (Канберра) выполнили эксперимент [1], который, по их мнению, демонстрирует проявление новой флуктуационной теоремы. Ее предложили в 1993 году D.J. Evans, E.G.D.Cohen, G.P.Morriss [2]. Теорема дает аналитическое выражение для вероятности того, что для ограниченной системы диссипативный поток направлен в противоположную сторону, нежели того требует 2-е начало термодинамики. Другими словами, теорема предсказывает вполне измеримое для маленькой системы отклонение от второго начала термодинамики в течение короткого времени. Специально теорема рассматривала броуновское движение частицы по траектории в течение времени tс производством энтропии А. Вероятность обнаружить траекторию с отрицательным А экспоненциально убывает с ростом абсолютного значения А. Вследствие того, что энтропия является экстенсивной величиной, отклонение от 2-го начала термодинамики можно наблюдать либо для малой системы, либо в течение короткого промежутка времени. Поскольку теория прямо указывала на возможный эксперимент, первыми на нее набросились «моделяторы». Предсказания теории оправдались на численных экспериментах. Впервые реализовать подобный эксперимент на реальной системе удалось австралийским ученым.

С помощью микроскопа они следили за перемещением коллоидной частицы в оптической ловушке, которая поступательно перемещалась по раствору. Оптический захват частицы был обусловлен различием коэффициентов преломления вещества частицы и окружающего раствора. Таким образом, для частицы создавалась параболическая потенциальная яма с центром в области максимальной интенсивности лазерного пучка. Оптическая сила, действующая на частицу, пропорциональна отклонению от центрального положения в ловушке. Производство энтропии пропорционально интегралу по времени от скалярного произведения скорости частицы на действующую на нее силу. Непосредственно силу измерить нельзя, по оценкам она составляет всего один пиконьютон (10-12Н). Вместо нее можно было бы подставлять ускорение, которое берется двойным дифференцированием перемещения по времени. По-видимому, это очень неточно, поэтому авторы использовали оптическую ловушку с линейной зависимостью силы от смещения от центра. Благодаря этому, энтропию вычисляли путем интегрирования произведения скорости частицы на ее перемещение. Были обработаны 500 траекторий. Все процедуры были автоматизированы, в противном случае это был бы адский труд. Результаты эксперимента продемонстрировали хорошее согласие с предсказаниями теории (см. рис.). Нарушение 2-го начала наблюдали в течение нескольких секунд от начала движения частицы! Для больших времен траектории с отрицательным производством энтропии уже не наблюдали.

Как теперь к этому эксперименту отнестись, чтобы спать спокойно. Можно, например, рассматривать нарушение второго начала как флуктуацию. Экспоненциальная зависимость обнаружения флуктуации от ее величины вообще характерна для флуктуаций.

Р
ис. Гистограммы: количество траекторий, соответствующее среднему по времени производству энтропии Σt/t. Черные столбики – времени от начала движения частицы t=10-2с, серые столбики соответствуют t=2с.

Возможным нарушением 2-го начала термодинамики давно интересуются и российские ученые. На конференции «Квантовая информатика’2002» в Липках был представлен доклад А.Никулова и В.Аристова (ИПТМ РАН) об экспериментах с джозефсоновскими кольцами, которые также свидетельствуют, по мнению авторов, о нарушении 2-го начала термодинамики. Структура представляет собой кольцо, часть которого состоит из сверхпроводника, а часть - из нормального металла. Структура помещена во внешнее магнитное поле. Наблюдаемый постоянный ток в отсутствие напряжения в структуре может быть интерпретирован как переход от хаотического движения в направленное, который также запрещает 2-е начало термодинамики. Надо отметить, что протекание тока наблюдается в течение длительного времени.

Этот доклад уже много раз представлялся на различных семинарах и конференциях. Обычное сомнение аудитории состоит в том, что нельзя быть достаточно уверенным в замкнутости исследуемой системы, есть, например, внешнее магнитное поле. Кроме того, энергия тока исключительно мала, он может быть вызван и другими неучтенными обстоятельствами, так что о наблюдении нарушения 2-го начала термодинамики, возможно, говорить еще рано. Хоть авторы совершенно уверены, но аудитории трудно отказаться от привычных истин.

В.Вьюрков

  1. Phys.Rev.Lett. 2002, 89, 050601.

  2. Phys.Rev.Lett. 1993, 71, 2401.

КОНФЕРЕНЦИИ

17 - 20 марта 2003. Нижний Новгород. Всероссийское совещание Нанофотоника'2003, посвященное памяти Олега Владимировича Лосева (1903-1942). Совещание проводится при поддержке РАН, РФФИ, Минпромнауки РФ и Минобразования РФ.

Совещание "Нанофотоника" организуется с целью обсуждения современного состояния работ в области:

  • физических явлений, лежащих в основе оптоэлектронных свойств низкоразмерных гетероструктур в видимом и ближнем ИК диапазонах;

  • физики неравновесных и инвертированных распределений и внутризонных оптических переходов горячих носителей в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами в сильных электрических и магнитных полях, включая механизмы инверсии и стимулированного излучения в среднем и дальнем ИК диапазонах;

  • нелинейных оптических явлений в наноструктурах;

  • оптических свойств экситонов в наноструктурах.

В программу могут быть включены отдельные сообщения об оптических свойствах наноструктур, выходящие за рамки обозначенных выше четырех основных разделов.

Публикация материалов совещания.

К началу работы совещания будет издан сборник докладов всех участников. Для этого необходимо до 14 февраля с.г. представить текст (в Word for Windows6.0/7.0; Times New Roman 12; интервал 1,5; поля: верхнее и нижнее 2 см, левое и правое 3 см) по электронной почте объемом не более 8 стр. по расширенному докладу (40 мин.) и не более 4 стр. по обычному докладу (20 мин.). Материалы совещания будут опубликованы в "Известиях Академии наук, серия физическая". Авторам докладов следует представить в Оргкомитет к началу работы совещания материалы, оформленные в соответствие с требованиями журнала.

Комитет по проведению совещания:

Председатель: З.Ф.Красильник (ИФМ РАН)

Тел.: (8312)675555

Факс: (8312)67 55 53, (8312)60 91 11

Ученый секретарь: В.И.Гавриленко (ИФМ РАН)

Секретарь: М.А.Токман (ИФМ РАН)

Программный комитет:

А.А.Андронов (ИФМ РАН), А.Л.Асеев (ИФП СО РАН), В.И.Гавриленко (ИФМ РАН), С.В.Гапонов (ИФМ РАН), Е.В.Демидов (ИФМ РАН), Ю.В.Копаев (ФИ РАН), О.П.Пчеляков (ИФП СО РАН), Н.Н.Сибельдин (ФИ РАН), Р.А.Сурис (ФТИ РАН), А.Ф.Хохлов (ННГУ), В.И.Шашкин (ИФМ РАН).

Издание трудов: В.Б.Шмагин (ИФМ РАН)

Организационно-технические вопросы, транспорт: А.И.Кузьмичев (ИФМ РАН)

Размещение: С.А.Малофеев (ИФМ РАН)

Адрес и телефоны Организационного комитета:

Марина Абрамовна Токман, Институт физики микроструктур РАН,

603600, Нижний Новгород, ГСП-105,

тел.: 8312 675 555, факс: 8312 609 111,

E-mail: nano@

Регистрационная форма

  1. Имя

  2. Отчество

  3. Фамилия

  4. Место работы

  5. Название устного доклада

  6. Название стендовых докладов

  7. Электронный и почтовый адреса

  8. Телефон

Регистрационная форма должна быть выслана в Оргкомитет по электронной почте до 27 декабря 2002 г. Оргкомитет известит о включении представленных докладов в Программу совещания не позднее 15 января 2003г.

Важные даты:

27.12.2002. Регистрация участников.

15.01.2003. Второе извещение.

15.02.2003. Представление материалов для публикации.

17-20.03.2003. Совещание.

Олег Владимирович Лосев (1903-1942)

Краткая биографическая справка

Родился 10 мая 1903 г. в г. Тверь.

1920 г. - Лосев поступает на работу в Нижегородскую радиолабораторию в качестве рассыльного, а затем лаборанта.

1921 г. - Выходят 2 первые публикации.

1922 г. - Лосев открывает усилительные свойства кристалла цинкита. Выходят 4 публикации.

1923 г. - Лосев изготавливает первый технический образец приемника-генератора с кристаллическим детектором. Выходят 6 публикаций.

1924 г. - Приемники Лосева широко вошли в практику радиоприема, его брошюра "Кристадин" разошлась сначала тиражом 2000 экземпляров, а потом - в 15 тысячах. Имя Лосева стало известно в СССР и за рубежом. Выходят 4 публикации. Американский журнал "Radio News" публикует редакционную статью под заголовком "Сенсационное изобретение". В ней говорилось: "Нет надобности доказывать, что это – революционное радио-изобретение. В скором времени мы будем говорить о схеме с тремя или шестью кристаллами, как мы говорим теперь о схеме с тремя или шестью усилительными лампами. Потребуется несколько лет для того, чтобы генерирующий кристалл усовершенствовался настолько, чтобы стать лучше вакуумной лампы, но мы предсказываем, что такое время наступит".

1925-1926 гг. - Выходят 7 публикаций.

1927 г. - Лосев обнаружил свечение в полупроводниковых кристаллах при пропускании через них тока. Выходят 2 публикации.

1928 г. - Нижегородская радиолаборатория расформирована. Лосева переводят в Ленинград в Центральную радиолабораторию треста заводов слаботочной электропромышленности. Должность - старший лаборант. Выходят 2 публикации.

1929-1935 гг. - Лосев исследует фотоэлектрические эффекты в полупроводниках. Выходят 22 публикации.

1935-1936 гг. ЦРЛ реорганизуется во Всесоюзный НИИ радиовещательного приёма и акустики. Лосев остаётся без работы.

1935-1942 гг. Лосев - ассистент кафедры физики I Медицинского института. Его научная работа прерывается - с 1935 по 1940 гг. Лосев не опубликовал ни одной работы.

1940-1941 гг. Лосев возобновляет исследования фотоэлектрических свойств полупроводников. Выходят 3 публикации.

1941 г. - Лосев остаётся в блокадном Ленинграде. "Жалею, что я не эвакуировался со всей семьей... Сейчас я по-прежнему в Медицинском институте; пока ничего, но вообще из Ленинграда, разумеется, следовало уехать с самого начала."

22 января 1942 г. Лосев умирает от дистрофии в блокадном Ленинграде.

.

Экспресс-бюллетень “ПерсТ” выходит при поддержке

Министерства промышленности, науки и технологий РФ,

Научных Советов Российских научно-технических программ:

“Актуальные направления в физике конденсированных сред”,

“Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники”, “Физика твердотельных наноструктур”

Редактор: С.Корецкая тел: (095) 930 33 89, e-mail: perst@

В подготовке выпуска принимали участие:

В.Вьюрков, Л.Журавлева, А.Елецкий, Л.Опенов, Р.Моргунов

Компьютерный ввод, макет: О.Хлыстунова

Тираж: Ю.Мухин

Адрес редакции: 119296 Москва, Ленинский проспект, 64А

ПерсТ, 2002, том 9, выпуск 20 9



Скачать документ

Похожие документы:

  1. Информационный бюллетень наноструктуры сверхпроводники фуллерены Том 9, выпуск 8 30 апреля 2002 г

    Информационный бюллетень
    В то время как большая часть человечества занята пустыми земными разборками, отрадно, что небольшая группа ученых из 33 научных центров мира задумала новый космический эксперимент в поисках первоматерии.
  2. Информационный бюллетень наноструктуры сверхпроводники фуллерены Том 9, выпуск 1/2 январь 2002г

    Информационный бюллетень
    С ФУЛЛЕРЕНЫ И НАНОТРУБКИ лоистый борокарбид лития LiBC изовалентен и схож по структуре с недавно открытым сверхпроводником MgB2. Он является диэлектриком из-за модуляции гексагональных слоев BC.
  3. Информационный бюллетень (16)

    Информационный бюллетень
    Электронные свойства всех обычных металлов при комнатной температуре определяются долгоживущими возбуждениями, сосредоточенными на так называемой поверхности Ферми в импульсном пространстве.
  4. Академии наук

    Реферат
    6.Актуальные про-блемы физики кон-денсированных сред, в том числе кванто-вой макрофизики, мезоскопики, физики наноструктур, спин-троники, сверх-проводимости 79
  5. Центры коллективного пользования российской академии наук москва 2004 удк центры коллективного пользования Российской академии наук

    Документ
    ЦКП «Исследования сильно-коррелированных систем в экстремальных условиях сверхнизких температур, высоких давлений, сильных электрических и магнитных полей» 9

Другие похожие документы..