Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
За Березневими статтями 1654 р. Україна увійшла до складу Росії фактично як автономне державне утворення – її суверенітет обмежувався визнанням верхо...полностью>>
'Конкурс'
Творческий конкурс проводится в рамках фестиваля молодежной прессы «Я-МЕГАПОЛИС» и является его основной и неотъемлемой частью. Творческий конкурс пр...полностью>>
'Реферат'
'Документ'
Мотиви – збудники діяльності, які формуються під впливом умов життя суб’єкта та визначають напрямок його активності. У ролі мотивів можуть виступати ...полностью>>

Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни бердянський державний педагогічний університет науково-дослідна діяльність Бердянського державного педагогічного університету у 2010 році

Главная > Документ
Сохрани ссылку в одной из сетей:

2. ВИЗНАЧНІ РЕЗУЛЬТАТИ ФУНДАМЕНТАЛЬНИХ ДОСЛІДЖЕНЬ У ГАЛУЗІ ПРИРОДНИЧИХ, СУСПІЛЬНИХ І ГУМАНІТАРНИХ НАУК, ЗОКРЕМА НАУКОВІ ДОСЯГНЕННЯ СВІТОВОГО РІВНЯ (ВИКОНАНІ ТІЛЬКИ ЗА КОШТИ ДЕРЖБЮДЖЕТУ)

З 2010 року фінансується держбюджетна тема “Оптоелектронні прилади на основі нанопоруватих сполук А3В5”, що пройшла конкурсний відбір у 2009 році. Науковий керівник – доктор фіз.-мат. наук, професор В.В. Кідалов. Номер державної реєстрації: 0110U002021. Категорія роботи: фундаментальна. Обсяг фінансування в 2010 році – 57 400 грн.

Мета цього науково-дослідного проекту полягає в тому, щоб створити гетероструктури для над’яскравих світлодіодів. На сьогодні у світлодіодах, які випускає сучасна промисловість, не вся електроенергія, що підводиться до чіпа, трансформується у світло, тому одне із завдань проекту - одержати максимальний світловий потік від світолодіодного кристала при заданому струмі. Можливість перетворення струму у випромінювання світла залежить від якості плівки GaN, на якій вирощуються всі наступні шари. Як підкладки для плівки GaN багато сучасних фірм використовують сапфір (неузгодженість ґраток 16%) і SiC (неузгодженість ґраток 9,5%). Це призводить до механічних напруг у структурі й дефектності плівки GaN. При пропущенні струму рекомбінація електронів і дірок у напівпровідниковій структурі супроводжується випромінюванням кванта світла. Якщо плівки нітриду галію мають значну кількість неоднорідностей і дислокацій, то випромінювальна здатність активної області, отримана на цій плівці, стрімко падає. Таким чином, чим більше дислокацій, тим менше квантовий вихід кристала й відповідно нижче яскравість.

Практичне значення дослідження полягає в тому, що отримуються плівки GaN на поруватих підкладках, які дозволяють значно знизити механічні напруги, які виникають у плівках GaN, і зменшити кількість дефектів плівки, що дозволяє вирощувати високоякісну плівку нітриду галію кубічної модифікації.

У 2010 році отримані високоякісні нанопоруваті плівки на основі сполук А3В5 методом електролітичного травлення.

Електронно- і рентгенографічні дослідження поруватої поверхні отриманих плівок підтвердили її кристалічну структуру. У спектрах ФЛ поруватих плівок як n-, так і p-типу за Т=77 К виявлено широку смугу випромінювання, пов'язану з ефектом квантового обмеження в результаті утворення квазіперіодичних нанооб’єктів (квантових дротів). У спектрах комбінаційного розсіювання монокристалічних і поруватих плівок виявлено відмінність в енергетичному положенні фононних реплік та їхніх на півширинах, низькочастотне зміщення фононних LO- і TO-реплік і розширення обох фононних ліній, що свідчить про деструктацію матеріалу, пов`язану зі збільшенням внутрішньої поверхні поруватого матеріалу. Показано, що наявний перерозподіл інтенсивності між TO і LO- модами в напрямку збільшення інтенсивності першої з названих. Кількісна оцінка розмірів кристалітів – 4–9 нм.

За результатами науково-дослідної роботи створено інноваційний проект “Організація виробництва світлодіодів на основі поруватих сполук”.

У 2010 році пройшов конкурсний відбір науковий проект “Компаративні студії в літературознавстві: імагологічний аспект” (науковий керівник – д.філол.н., проф. О.Д. Харлан), що пропонується до виконання за рахунок видатків загального фонду державного бюджету в категорії фундаментальних досліджень.

3. КОРОТКИЙ ОПИС ПЕРСПЕКТИВНИХ ПРИКЛАДНИХ ДОСЛІДЖЕНЬ, ОБҐРУНТУВАННЯ ЩОДО НЕОБХІДНОСТІ ЇХ ФІНАНСОВОЇ ПІДТРИМКИ

З 2009 року фінансується держбюджетна тема “Наноструктурований матеріал на основі поруватих сполук АІІІВV”, що пройшла конкурсний відбір у 2008 році. Науковий керівник – доктор фіз.-мат. наук, професор В.В. Кідалов. Номер державної реєстрації 0109U002856). Категорія роботи: прикладна. Обсяг фінансування в 2010 році – 55 700 грн.

Для одержання високоякісних плівок GaN кубічної модифікації використовуються нові типи гетеропереходів GaN/por-GaAs/GaAs, які дозволять керувати фізичними властивостями та функціональними параметрами плівок GaN у залежності від морфології поруватої підкладки бінарної галієвої сполуки елементів п’ятої групи. Використання нанопоруватих шарів галієвих сполук елементів п’ятої групи дозволить отримувати плівки GaN лазерної якості, які можуть бути застосовані як підкладки для виготовлення над’яскравих світлодіодів, фотодіодів, сенсорів, HEMT транзисторів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолетовій області спектру.

У поточному році досліджена динаміка змін оптичних властивостей нанорозмірного CdSe на різних етапах його хімічного поверхневого осадження на поруваті підкладки InP у залежності від параметрів електролітичного травлення плівок поруватого фосфіду галію. Спектри фотолюмінесценції реєструвались за допомогою автоматизованої установки для проведення спектральних досліджень (Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова).

На підставі проведених досліджень встановлено, що поетапний транспорт наночасток CdSe з колоїдного стану на поверхню поруватого GaP дозволяє формувати наноструктурований матеріал на основі плівок поруватого GaP. На початковому етапі осадження наночасток CdSe на підкладки поруватого GaP відбувається зсув спектрів фотолюмінесценції наночасток CdSe в короткохвильову область. Подальша обробка призводить до формування двох фракцій наночасток CdSe в плівці поруватого GaP.

Розроблена установка для отримання поруватих шарів напівпровідникових сполук, до складу якої входить потенціостат-гальваностат, ванна для електролітичного травлення 2 – дюймових пластин (50 мм) з платиновим електродом. Як електроліт використовувались розчини плавикової, бромідної або соляної кислот, щільність струму вибиралася в діапазоні від 30 до 180 мА/см2, час травлення від 5 - 30 хвилин. Процес електролітичного травлення здійснюється за допомогою комп’ютера.

Протягом звітного року методом анодного електролітичного травлення отримані поруваті сполуки А3В5, досліджені їхні оптичні (комбінаційне розсіювання, фотолюмінесценція) і морфологічні властивості (за допомогою растрового електронного мікроскопу модель JSM-6490). Для отримання наноструктурованої поверхні наночастки осаджувались на поверхню поруватих сполук А3В5 з колоїдного розчину з наступним випаровуванням вуглеводню, який виступав як основа цього розчину.

Проведені дослідження дали змогу з’ясувати, що транспорт наночасток з колоїдного стану на поверхню поруватих сполук А3В5 дозволяє формувати наноструктурований матеріал на основі плівок поруватих сполук. На початковому етапі осадження наночасток на підкладки поруватих сполук відбувається зсув максимуму фотолюмінесценції, наночасток в коротко- хвильову область спектру. Виявлено, что порушення оболонки наночасток призводить до утворення двох фракцій наночасток з різними розмірами.

Патенто-, конкурентоспроможними результатами цього дослідження є патенти:

1. Пат. 49947 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання поруватої поверхні фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.;- u201003113; заявл. 18.03.2010; опубл.   11.05.2010. Бюл. № 9/2010.

2. Пат. 50341 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання нанопоруватого шару фосфіду індію шляхом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. - a200911298; заявл. 06.11.2009; опубл.   10.06.2010. Бюл. № 11/2010.

3. Пат. 51830 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання макропоруватої поверхні фосфіду індію методом електролітичного травлення у розчині плавикової кислоти/ Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.;- a200911608; заявл. 13.11.2009; опубл.   10.08.2010. Бюл. № 15/2010.

4. Пат. 53712 Україна, МПК(2006): H01L 21/306 (2006.01). Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію р-типу / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. Балан О. С., Коноваленко А. А.- u201006059; заявл. 19.05.2010; опубл.   11.10.2010. Бюл. № 19/2010.

5. Пат. 54800 Україна, МПК(2006): H01L 21/00 (2006.01). Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару ІnP / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. Балан О. С., Коноваленко А. А. - u201006056; заявл. 19.05.2010; опубл.   25.11.2010. Бюл. № 22/2010.

У 2010 році пройшов конкурсний відбір науковий проект, що пропонується до виконання за рахунок видатків загального фонду державного бюджету в категорії прикладних досліджень “Науково-методичні засади підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників із інтегрованих професій в галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій” (науковий керівник – к.т.н., проф. Г.М. Тимонькін).

Об’єкт дослідження – процес підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників із інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій.

Предмет дослідження – концепція, зміст, методи, електронні комп’ютерні засоби системи підготовки інженерів-педагогів до професійної підготовки кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі комп’ютерно-орієнтованих технологій.

Актуальність. Сучасний стан реорганізації та перебудови вітчизняного промислового виробництва з метою інтеграції у європейське та світове виробництво вимагає переобладнання підприємств сучасним інтегрованим комп’ютеризованим та автоматизованим технічним та технологічним промисловим обладнанням. Ці об’єктивні обставини обумовлюють необхідність підготовки відповідних кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій, що визначає актуальну проблему обґрунтування та розробки системи професійної підготовки інженерно-педагогічних кадрів для навчання сучасних висококваліфікованих робітників.

Проект ґрунтується на нових актуальних ідеях, технічних рішеннях, які належать його авторам.

Метою проекту є теоретичне обґрунтування та розробка концепції, змісту, методів та електронно-дидактичних засобів системи підготовки інженера-педагога до професійного навчання кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій.

Проект спрямовується на розв’язання практичних завдань:

  • теоретичне обґрунтування та розробка концепції системи підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій;

  • теоретичне обґрунтування та розробка змісту системи підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників із інтегрованих професій в галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій;

  • теоретичне обґрунтування та розробка методів системи підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій;

  • теоретичне обґрунтування та розробка електронних дидактичних засобів системи підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій;

  • розробка електронних навчальних посібників, які будуть містити основний теоретичний матеріал зі спеціальних дисциплін, контрольні питання для самоперевірки, методичні рекомендації за видами занять, зокрема, із самостійної роботи та з виконання дипломних робіт (проектів);

  • розробка інтерактивного електронного задачника для виробничого навчання;

  • розробка електронних презентацій конспектів лекцій зі спеціальних дисциплін;

  • розробка контрольно-вимірювальних матеріалів для забезпечення спеціальних дисциплін і виробничого навчання (екзаменаційні білети, тести тощо), які встановлюють зміст і порядок проведення проміжних та підсумкових атестацій;

  • розробка інформаційного забезпечення спеціальних дисциплін, виробничого навчання та виробничої практики (навчальні програми, програми для контролю знань, спеціалізовані пакети прикладних програм тощо);

  • розробка тематики курсових, дипломних робіт, рефератів, а також інших видів індивідуальних завдань.

Результати роботи з реалізації проекту передбачається узагальнити в матеріалах однієї докторської та п’яти кандидатських дисертацій, а також застосувати при створенні електронного навчально-методичного комплексу (на сучасних інформаційних носіях) для спеціальних дисциплін, виробничого навчання та виробничої практики кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій. За результатами проекту планується публікація десяти статей та трьох навчальних посібників “Методичні засади підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій”, “Методика розробки електронного науково-методичного комплексу з підготовки інженерів-педагогів до професійного навчання кваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій”, “Методичні засади професійної підготовки висококваліфікованих робітників з інтегрованих професій у галузі автоматизації та комп’ютерно-орієнтованих технологій електронно-дидактичними засобами”.

Нові доробки передбачається апробувати в закладах професійно-технічної освіти.

4. КОНКУРЕНТОСПРОМОЖНІ ПРИКЛАДНІ РОЗРОБКИ ТА НОВІТНІ ТЕХНОЛОГІЇ ЗА ПРІОРИТЕТНИМИ НАПРЯМАМИ РОЗВИТКУ НАУКИ І ТЕХНІКИ

Під керівництвом завідувача кафедри комп’ютерних систем та мереж (КСМ) БДПУ В.І. Межуєва здійснюється розробка інформаційної технології предметно-орієнтованого математичного моделювання (англ. Domain-Specific Mathematical Modeling, DSMM). Інформаційна технологія DSMM була реалізована в процесі виконання наступних науково-технічних проектів:

  • створення web-орієнтованих інструментів DSMM для концептуального моделювання систем та організації процесів системної інженерії в рамках наукового співробітництва кафедри комп’ютерних систем та мереж БДПУ з бельгійським науково-дослідним інститутом OpenLicenceSociety (www.openlicensesociety.org), договір від 21 грудня 2005 року;

  • розробка комплексних інструментальних засобів DSMM для моделювання програмних систем (топологій обчислювальних вузлів та розподілених паралельних додатків операційної системи реального часу OpenComRTOS) у рамках наукового співробітництва БДПУ з бельгійською фірмою Altreonic (), договір №77-05/16 від 11.09.2007 року;

  • створення комплексних інструментальних засобів DSMM для розв’язання задач багатовимірних фізичних ПрО, що зокрема використовувалася для реконструкції тривимірних зображень за серією плоских зрізів у рамках держбюджетної наукової теми “Нові високоефективні методи розв’язання плоскої та просторової задач комп’ютерної томографії, основані на використанні сплайн-інтерлінації та сплайн-інтерфлетації функцій” (реєстраційний номер 042/0718), сумісно з кафедрою вищої та прикладної математики Української інженерно-педагогічної академії;

  • комплексні інструментальні засоби DSMM для багатовимірних фізичних ПрО набули подальшого розвитку та застосовувалися для моделювання та обчислення властивостей метаматеріалів у процесі спільного наукового проекту “Physical properties of heterostructures and metamaterials” БДПУ з інститутом фізики університету штату Пуебла (Instituto de Física, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla), Мексика (у рамках договору про наукове співробітництво від 27.06.09 року);

  • розробка комплексних інструментальних засобів DSMM для моделювання ПрО, опис яких наданий у формі силогізмів (векторна логіка), у рамках наукового проекту з Фіск Університетом (штат Теннессі, США) та державним університетом штату Айдахо (США) при підтримці USA CRDF (Civilian Research and Development Foundation, грант #UK-T1-6031-BE-05-01).

Конкурентоспроможні прикладні розробки здійснюють викладачі БДПУ в межах дисертаційних досліджень. Так, ст. викладач кафедри математичного моделювання В.В. Лаврик, працюючи над темою “Системи автоматизованого проектування конструкцій з еластомерів”, встановив, що математичне моделювання та дослідження за допомогою комп’ютера багатьох класів сучасних задач механіки еластомерів призводить до необхідності розрахунків об’єктів, які перебувають у напружено-деформованому стані. Тому автоматизація їх створення є важливою актуальною проблемою. Дослідник на базі інструментального САПР FORTU розробив модель, в основу якої покладено метод моментних схем. Побудована модель дозволяє інженеру-проектувальнику самостійно вибирати метод розрахунку конструкцій. Важливість результатів дисертаційної роботи для інженерної практики пов’язана з можливістю використання розроблених методик і програмного забезпечення в проектних установах, конструкторських бюро, а також при підготовці відповідних спеціалістів у навчальному процесі, що підтверджується актами про впровадження розробленої системи. Результати дослідження подано у візуальних прикладах, що підтверджує можливості розробленого математичного і програмного апарату.

5. ІНФОРМАЦІЯ ПРО ДІЯЛЬНІСТЬ СТРУКТУРНОГО ПІДРОЗДІЛУ З КОМЕРЦІАЛІЗАЦІЇ НАУКОВО-ТЕХНІЧНИХ РОЗРОБОК

Унаслідок розгортання на базі БДПУ фундаментальних досліджень виникла необхідність захисту об’єктів права інтелектуальної власності, що вимагає підготовки спеціальних кадрів. Відповідно до наказу Міністерства освіти і науки України від 24 травня 2004 року № 533 “Про створення підрозділів комерціалізації об’єктів інтелектуальної власності” та з метою ефективного використання наукового потенціалу під час проведення науково-дослідних робіт з 2005 року в БДПУ функціонує підрозділ комерціалізації об’єктів права інтелектуальної власності, яким керує на громадських засадах кандидат педагогічних наук, доцент кафедри соціальної педагогіки Ольга Іванівна Гуренко. Підрозділ здійснює свою діяльність в єдиному комплексі освітньої, наукової та науково-технічної діяльності Бердянського державного педагогічного університету, бере участь у підготовці й укладанні передбачених чинним законодавством договорів з авторами реалізації об’єктів інтелектуальної власності та контролює їх виконанням, здійснює заходи з організації навчання та підвищення кваліфікації у сфері комерціалізації об’єктів інтелектуальної власності працівників, аспірантів і студентів БДПУ, співпрацює з органами державного управління, фімами, підприємствами, організаціями м. Бердянська та Запорізької області, діяльність яких пов’язана зі сферою інтелектуальної власності.

О.І. Гуренко щорічно проходить навчання за програмою навчального семінару для наукових та науково-педагогічних працівників вищих навчальних закладів ІІІ-IV рівнів акредитації “Організація діяльності підрозділів з питань інтелектуальної власності вищих навчальних закладів” та є консультантом з комерціалізації об’єктів права інтелектуальної власності. Вона надає працівникам і студентам Бердянського державного педагогічного університету консультативно-правову, інформаційну й адміністративну допомогу в реалізації особистих немайнових і майнових прав на об’єкти інтелектуальної власності, що їм належать, і пільг, передбачених чинним законодавством і локальними нормативними актами БДПУ, у тому числі прав працівників-винахідників (авторів) на винагороду за використання реалізації об’єктів інтелектуальної власності, створених ними у зв’язку з виконанням трудового договору чи доручення працедавця.

Для магістрантів усіх факультетів викладається дисципліна “Захист інтелектуальної власності”, а для магістрантів фізико-математичного факультету – “Патентознавство та авторське право” (викладач – к.пед.н., доцент Т.М. Яценко).

У контексті входження України до європейського наукового простору викладачі всіх кафедр університету здійснюють модернізацію навчально-виховного процесу посередництвом власних наукових розробок. Відповідно до вимог кредитно-модульної системи розроблено навчальні програми, інтерактивні комплекси навчально-методичного забезпечення з дисциплін та розміщено в комп’ютерній мережі Бердянського державного педагогічного університету.

Невпинне зростання наукової інформації, динаміка розвитку сучасного суспільства, посилення соціальної ролі особистості та інтелектуалізація її праці, швидка зміна техніки та технології потребують від вищих закладів освіти України забезпечення якісно нового рівня підготовки вчителів. З метою популяризації досліджень і наукових проектів Бердянського державного педагогічного університету викладач кафедри обробки та захисту інформації Г.М. Алексєєва впроваджувала програму “Intel@Навчання для майбутнього” у перепідготовку студентів та викладачів, що дало змогу практично використовувати її елементи викладачами й студентами в навчально-виховному процесі.

6. ОПИСИ НАЙБІЛЬШ ВАЖЛИВИХ РОЗРОБОК, ВІДКРИТТІВ, РОБІТ ІЗ ЗНАЧНИМ ЕКОНОМІЧНИМ І СОЦІАЛЬНИМ ЕФЕКТОМ

У рамках держбюджетних наукових досліджень у БДПУ у звітному році отримано п’ять патентів на корисну модель.

1. Пат. 49947 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання поруватої поверхні фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.;- u201003113; заявл. 18.03.2010; опубл.   11.05.2010. Бюл. № 9/2010.

2. Пат. 50341 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання нанопоруватого шару фосфіду індію шляхом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. - a200911298; заявл. 06.11.2009; опубл.   10.06.2010. Бюл. № 11/2010.

3. Пат. 51830 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання макропоруватої поверхні фосфіду індію методом електролітичного травлення у розчині плавикової кислоти/ Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О.;- a200911608; заявл. 13.11.2009; опубл.   10.08.2010. Бюл. № 15/2010.

4. Пат. 53712 Україна, МПК(2006): H01L 21/306 (2006.01). Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію р-типу / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. Балан О. С., Коноваленко А. А.- u201006059; заявл. 19.05.2010; опубл.   11.10.2010. Бюл. № 19/2010.

5. Пат. 54800 Україна, МПК(2006): H01L 21/00 (2006.01). Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару ІnP / Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О. Балан О. С., Коноваленко А. А. - u201006056; заявл. 19.05.2010; опубл.   25.11.2010. Бюл. № 22/2010.

Корисна модель “Спосіб отримання поруватої поверхні фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення” належить до способів дослідження композиційної неоднорідності монокристалічного фосфіду індію – смуг сегрегації домішки, що виникають під час росту кристалу, а саме способів селективного травлення кристалів, завдяки якому можливо спостерігати цей тип дефектів кристалічної структури InP.

Дослідження “смугастості” кристалів фосфіду індію n-типу легованого S до концентрації носіїв n=2,3х1018см-3 з орієнтацією (111) проводилося в декілька етапів.

  1. Шліфування зразків та обробка поверхні алмазним порошком. Після цього на поверхні були присутні нерівності висотою 2-10 нм.

  2. Полірувальне електрохімічне травлення для отримання дзеркально гладкої поверхні.

  3. Видалення з поверхні полярних та неполярних забруднень за допомогою толуолу та етилового спирту.

  4. Селективне електрохімічне травлення зразків у розчині HF:C2H6OH:Н2О (1:2:1) для дослідження смугастої неоднорідності розподілу компонентів у кристалі фосфіду індію.

  5. Промивання поверхні в етиловому спирті та висушування в потоці азоту.

Дослідження композиційної неоднорідності кристала фосфіду індію має великий науковий та практичний інтерес, оскільки ці дефекти можуть суттєво впливати на властивості як монокристалічного InP, так і на поруваті структури, отримані на об’ємних підкладках фосфіду індію, а також на більш складні епітаксійні сполуки, отримані на основі InP.

Корисна модель “Спосіб отримання нанопоруватого шару фосфіду індію шляхом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти” належить до способів виготовлення поруватих структур на поверхні монокристалічного фосфіду індію, а саме способів електрохімічного травлення, у результаті чого на поверхні формується поруватий шар, що скаладається переважно з макропор.

Отримання макропоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію n-типу легованого S до концентрації носіїв n=2,3х1018см-3 з орієнтацією (111) здійснювалося в декілька етапів.

  1. Знежирення зразків в гарячому (75 – 800С) аміачному розчині.

  2. Обробка в гарячій концентрованій азотній кислоті (видалення іонів металів).

  3. Промивання зразків у толуолі, етиловому спирті та дистильованій воді.

  4. Електрохімічне травлення зразків у розчині HF:C2H6OH:Н2О (1:2:1) для отримання поруватого шару фосфіду індію.

  5. Очищення зразків у дистильованій воді та просушування за допомогою центрифуги в струмені сухого повітря.

Поруватий фосфід індію є перспективним матеріалом для розробки надшвидких інтегральних схем, а також створення комбінованих оптоелектронних пристроїв, у яких інформація обробляється не тільки в електронному, але й в оптичному вигляді. Енергетичні параметри монокристалів поруватого InP дуже близькі до параметрів монокристалічного кремнію, тому на його основі легко виготовляти прилади інтегральної оптоелектроніки, сумісні з кремнієм, зокрема резистивні оптопари.

Корисні моделі “Спосіб отримання макропоруватої поверхні фосфіду індію методом електролітичного травлення у розчині плавикової кислоти” та “Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію р-типу” належать до способів виготовлення квантово-розмірних структур на поверхні монокристалічного фосфіду індію, а саме способів електрохімічного травлення, у результаті чого на поверхні формуються квантово-розмірні структури по типу квантових дротів.

Отримання нанопоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію n-типу легованого S до концентрації носіїв n=2,3х1018см-3 з орієнтацією (111) проводилося в декілька етапів.

  1. Шліфування зразків та обробка поверхні алмазним порошком. Після цього на поверхні були присутні нерівності висотою 2-10 нм.

  2. Полірувальне електрохімічне травлення для отримання дзеркально гладкої поверхні.

  3. Видалення з поверхні полярних та неполярних забруднень за допомогою толуолу та етилового спирту.

  4. Електрохімічне травлення зразків у розчині HF:C2H6OH:Н2О (1:2:1) для отримання нанопоруватого шару фосфіду індію.

  5. Промивання поверхні в етиловому спирті та висушування в потоці азоту.

Поруваті шари фосфіду індію можуть застосовуватися при створенні нових унікальних матеріалів для виготовлення транзисторів та інших СВЧ-приладів. Також можливе використання їх як підкладок для вирощування різних гетероструктур, на основі яких виготовляються ефективні джерела випромінювання.

Корисна модель “Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару ІnP” призначена для одержання високоякісних плівок GaN(InP) кубічної модифікації, де використовуються нові типи гетеропереходів GaN/por-GaAs/GaAs, які дозволять керувати фізичними властивостями та функціональними параметрами плівок GaN (InP) у залежності від морфології поруватої підкладки бінарної галієвої сполуки елементів п’ятої групи. Використання нанопоруватих шарів галієвих сполук елементів п’ятої групи дозволить отримувати плівки GaN (InP) лазерної якості, які можуть бути застосовані як підкладки для виготовлення над`яскравих світлодіодів, фотодіодів, сенсорів, HEMT транзисторів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолетовій області спектру.

Ідея використання поруватої підкладки на основі бінарних сполук А3В5 для вирощування тонких плівок з метою зняття механічних напружень раніше застосовувалася тільки для кремнієвих підкладок і дала позитивні результати.

Економічна привабливість розробки для просування на ринок полягає в тому, що плівки GaN, отримані на поруватом GaAs, дешевше плівок GaN, отриманих традиційними технологіями.



Скачать документ

Похожие документы:

  1. Проект міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни нака з (1)

    Документ
    Відповідно до Закону України “Про загальну середню освіту” (з змінами) та на виконання завдання стосовно поліпшення роботи з патріотичного, правового, екологічного виховання дітей, учнівської та студентської молоді, формування у них
  2. Проект міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни нака з (2)

    Документ
    Відповідно до Закону України “Про загальну середню освіту” (з змінами) та на виконання завдання стосовно поліпшення роботи з патріотичного, правового, екологічного виховання дітей, учнівської та студентської молоді, формування у них
  3. Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни нака з м. Київ 31. 10. 2011 №1243 (1)

    Документ
    Відповідно до Закону України “Про загальну середню освіту”, на виконання підпункту “і” пункту 2 статті 3 Указу Президента України від 30 вересня 2010 року № 926 “Про заходи щодо забезпечення пріоритетного розвитку освіти в Україні”
  4. Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни нака з м. Київ 31. 10. 2011 №1243 (2)

    Документ
    Відповідно до Закону України “Про загальну середню освіту”, на виконання підпункту “і” пункту 2 статті 3 Указу Президента України від 30 вересня 2010 року № 926 “Про заходи щодо забезпечення пріоритетного розвитку освіти в Україні”
  5. Міністерство освіти І науки, молоді та спорту україни нака з м. Київ 31. 10. 2011 №1243 (3)

    Документ
    Відповідно до Закону України “Про загальну середню освіту”, на виконання підпункту “і” пункту 2 статті 3 Указу Президента України від 30 вересня 2010 року № 926 “Про заходи щодо забезпечення пріоритетного розвитку освіти в Україні”

Другие похожие документы..