Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Конкурс'
Инициаторы конкурса:  кафедра эстрадно-джазовой музыки Казанского государственного университета культуры  и искусств, Институт трансфера  знаний   пр...полностью>>
'Реферат'
Познание мира растений : занятия с детьми 4 -7 лет / авт.-сост. М. Н. Сигимова. - Волгоград : Учитель, 2009. - 251 с. - (Образовательное пространство...полностью>>
'Документ'
МОУ ВПО «Воронежский институт экономики и социального управления» 26 ноября 2010 года проводит заочную межрегиональную научно-практическую конференци...полностью>>
'Документ'
Форос расположен в 45 км от Ялты. В трех километрах к западу от него, на мысе Сарыч, установлен маяк. Это самая южная точка Крыма, Украины, всей европ...полностью>>

Введение в специальность (1)

Главная > Пояснительная записка
Сохрани ссылку в одной из сетей:

Утверждена

УМО вузов Республики Беларусь

по образованию в области информатики

и радиоэлектроники

« 03 » июня 2003 г.

Регистрационный № ТД-41-010/тип.

ВВЕДЕНИЕ В СПЕЦИАЛЬНОСТЬ

Учебная программа для высших учебных заведений

по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные

технологии и системы

Согласована с Учебно-методическим управлением БГУИР

« 28 » мая 2003 г.

Составитель

А.П. Казанцев, доцент кафедры микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», кандидат технических наук

Рецензенты:

Ф.П. Коршунов, заведующий лабораторией радиационных воздействий Института физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, профессор, доктор технических наук;

Кафедра интеллектуальных систем Учреждения образования «Белорусская государственная политехническая академия» (протокол № 7 от 21.03.2002 г.)

Рекомендована к утверждению в качестве типовой:

Кафедрой микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский
государственный университет информатики и радиоэлектроники» (протокол
№ 7 от 04.03.2002 г.);

Научно-методическим советом по направлениям І-36 Оборудование и І-41 Компоненты оборудования УМО вузов Республики Беларусь по образованию в области информатики и радиоэлектроники (протокол № 1 от 25.10.2002 г.)

Разработана на основании Образовательного стандарта РД РБ 02100.5.030-98.

Ответственный за редакцию: Н.А. Бебель

Ответственный за выпуск: Ц.С. Шикова

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Типовая программа дисциплины «Введение в специальность» разработана в соответствии с Образовательным стандартом РД РБ 02100.5.030-98 по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные технологии и системы для высших учебных заведений.

Целью изучения дисциплины является знакомство студентов со специальностью Микро- и наноэлектронные технологии и системы и методикой приобретения знаний в высшем учебном заведении.

В результате изучения курса студент должен:

знать:

  • структуру вуза;

  • права, обязанности и правила поведения;

освоить:

  • методику приобретения знаний;

  • навыки работы с литературой.

Программа рассчитана на объем 20 часов аудиторных занятий. Примерное распределение учебных часов: 16 часов - лекции, 4 часа - просмотр учебных кинофильмов по технологии производства интегральных схем. Заканчивается курс зачетом с представлением реферата по избранной теме.

СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

ВВЕДЕНИЕ

Предмет, цель и задачи курса «Введение в специальность». Микроэлектроника и полупроводниковые приборы в современной электронике. Роль специалистов в научно-техническом прогрессе. Краткая история развития электроники и микроэлектроники. Вклад отечественных специалистов в развитие электроники.

Раздел 1. ОБЩЕОРГАНИЗАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ

Тема 1.1. Устав БГУИР о правах и обязанностях студентов

Правила поведения студентов в университете, общежитии и общественных местах. Правила техники безопасности и ответственность за их соблюдение. Противопожарная безопасность.

Раздел 2. ПРОФИЛЬ СПЕЦИАЛЬНОСТИ И ОРГАНИЗАЦИЯ УЧЕБНОГО ПРОЦЕССА

Тема 2.1. Учебный план специальности 1-41 01 02

Роль фундаментальных дисциплин и уровень общетехнической подготовки по специальности. Специализация. Места будущей работы молодых специалистов. Научно-техническая база кафедры и возможности развития навыков исследовательской работы в процессе обучения.

Тема 2.2. Организация учебного процесса по системе сквозной
подготовки
специалистов

Роль ЭВМ в учебном процессе и работе по специальности. История развития и роль профилирующей кафедры в подготовке специалистов.

Тема 2.3. МЕТОДИКА ПРИОБРЕТЕНИЯ ЗНАНИЙ

Лекции и их роль в изучении различных дисциплин, методика ведения конспекта лекций.

Практические и лабораторные работы, методика подготовки к занятиям, самостоятельная работа, защита работ.

Курсовые работы и проекты, методика работы с литературой.

Методика подготовки и сдачи зачетов и экзаменов, взаимодействие с деканатом.

Условия приобретения прочных знаний.

Раздел 3. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Тема 3.1. Микроэлектроника как этап развития
современной электроники

Физические, технологические и схемотехнические аспекты микроэлектроники. Основные определения. Функциональная сложность. Степень интеграции и плотность упаковки современных ИС.

Полупроводниковая электроника. Представление о биполярных и МОП- приборах и схемах. Тонкопленочная электроника как основа создания ГИС и БИС. Оптоэлектроника и функциональная микроэлектроника.

Тема 3.2. Полупроводники и полупроводниковые материалы

Получение полупроводниковых пластин. Подложки тонкопленочных и ГИМС. Диэлектрические и проводниковые материалы, основные требования при изготовлении полупроводниковых приборов и ИМС.

Тема 3.3. Основные технологические операции
при изготовлении
полупроводниковых приборов и ИС

Диффузия, имплантация, эпитаксия.

Окисление и травление; получение тонких пленок.

Фотолитография.

Обобщенная схема технологического процесса ИС.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сложность специальности І-41 01 02 и роль уровня знаний в работе по специальности. Просмотр кинофильмов по технологии создания ИС.

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ РЕФЕРАТОВ (ПО ВЫБОРУ)

  1. История развития микроэлектроники.

  2. Микроэлектроника и ее связь с другими науками.

  3. Области применения микроэлектроники.

  4. Тенденция развития микроэлектроники.

  5. Микроэлектроника и современность.

  6. Технологические особенности микроэлектроники.

  7. Конструктивные особенности микроэлектроники.

  8. Физические основы микроэлектроники.

  9. Базовые процессы в микроэлектронике.

  10. Полупроводниковая микроэлектроника.

  11. Тонкопленочная микроэлектроника.

  12. Толстопленочная микроэлектроника.

  13. Функциональная микроэлектроника.

  14. Оптоэлектроника.

  15. Акустоэлектроника.

  16. Магнетоэлектроника.

  17. Методы получения толстых пленок.

  18. Методы получения тонких пленок.

  19. Способы получения диэлектрических пленок.

  20. Электронно-лучевое напыление.

  21. Способы получения формы элементов ИС.

  22. Фотолитография.

  23. Фотошаблоны.

  24. Получение формы элементов с помощью масок.

  25. Электронно-лучевая литография.

  26. Подложки ИС и их очистка перед напылением.

  27. Методы выращивания монокристаллов.

  28. Методы очистки монокристаллов.

  29. Химическая очистка поверхности полупроводниковых пластин.

  30. Ионное травление полупроводниковых пластин.

  31. Механическая обработка поверхности пластин.

  32. Окисление поверхности пластин.

  33. Окисление в парах воды.

  34. Сухое окисление.

  35. Выращивание монокристаллов из расплава.

  36. Выращивание монокристаллов из раствора.

  37. Выращивание монокристаллов из газовой фазы.

  38. Эпитаксия.

  39. Легирование

  40. Имплантация.

  41. Термическое напыление.

  42. Катодное распыление.

  43. Технология создания тонкопленочных ИС.

  44. Методы изоляции элементов полупроводниковых ИС.

  45. Элементы пленочных ИС.

  46. Униполярные транзисторы.

  47. Интегральные диоды.

  48. Биполярные транзисторы.

  49. Полупроводниковые резисторы.

  50. Полупроводниковые конденсаторы.

  51. Логические элементы на биполярных транзисторах.

  52. Логические элементы на МДП-транзисторах.

  53. Запоминающие устройства.

  54. Операционные усилители.

  55. Аналоговые устройства в микроэлектронике.

  56. Логические операции в микроэлектронных устройствах.

  57. Гибридные ИС.

  58. Технологический процесс создания ИС на МОП-транзисторах.

  59. Технологический процесс получения тонкопленочных ИС.

  60. Технология получения толстопленочных ИС.

  61. Технологический процесс создания ГИС.

  62. Технологический процесс получения СБИС.

  63. Технологический процесс создания БИС.

  64. Технология полупроводниковых ИС на биполярных транзисторах.

  65. Материалы для получения ИС.

  66. Сборочные операции при создании ИС.

  67. Свободные темы по вопросам МЭ (по согласованию с преподавателем).

ЛИТЕРАТУРА

ОСНОВНАЯ
  1. Устав Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники. – Мн., 1995.

  2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Сов. радио, 1980.

  3. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1983.

  4. Козырь И., Ефимов И.Е., Горбунов Ю.М. Микроэлектроника. – М.: Высш. шк., 1986.

  5. Пасынков В.В. Материалы электронной техники. – М.: Высш. шк., 1980.

  6. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных средств. – М: Радио и связь, 1991.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

  1. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. –М.: Высш. шк., 1984.

  2. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. –М.: Энергомашиздат, 1990.

  3. Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы. –М.: Энергоатомиздат, 1983.

  4. Расадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высш. шк., 1991.

  5. Игулыюв Д.В., Королев Г.В., Громов И.С. Основы микроэлектроники. – М.: Высш. шк., 1991.

  6. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Высш. шк., 1991.

  7. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991.

  8. Технология СБИС /Под ред. Ю.Д.Чистякова. – М.: Мир, 1986.

  9. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высш. шк., 1980.

  10. Казанцев А.П. Электротехнические материалы. – М.: Дизайн ПРО, 1998, 2001.


Утверждена

УМО вузов Республики Беларусь

по образованию в области информатики

и радиоэлектроники

« 03 » июня 2003 г.

Регистрационный № ТД-41-001/тип.

РАСЧЕТ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Учебная программа для высших учебных заведений

по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные

технологии и системы

Согласована с Учебно-методическим управлением БГУИР

« 28 » мая 2003 г.

Составители:

В.А. Сокол, профессор кафедры микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», доктор технических наук;

В.И. Пачинин, доцент кафедры микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» кандидат технических наук

Рецензенты:

Н.А. Цырельчук, ректор Учреждения образования «Минский государственный высший радиотехнический колледж», профессор, кандидат технических наук;

Кафедра интеллектуальных систем Учреждения образования «Белорусская государственная политехническая академия» (протокол № 7 от 21.03.2002 г.)

Рекомендована к утверждению в качестве типовой:

Кафедрой микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» (протокол № 7 от 04.02.2002 г.),

Научно-методическим советом по направлениям 1-36 Оборудование и 1-41 Компоненты оборудования УМО вузов Республики Беларусь по образованию в области информатики и радиоэлектроники (протокол № 1 от 25.10.2002 г.)

Разработана на основании Образовательного стандарта РД РБ 02100.5.030-98

Ответственный за редакцию: Н.А. Бебель

Ответственный за выпуск: Ц.С. Шикова

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Типовая программа «Расчет и проектирование полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем» разработана в соответствии с Образовательным стандартом РД РБ 02100.5.030-98 по специальности 1-41 01 02 Микро- и наноэлектронные технологии и системы для высших учебных заведений. Целью изучения дисциплины является формирование необходимого объема сведений, достаточных для проведения студентом инженерных расчетов полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем.

В результате освоения курса студент должен:

знать:

  • физические процессы, протекающие в полупроводниках и р-п переходах;

  • конструкции дискретных полупроводниковых приборов и элементов инте-гральных схем (ИС);

  • специфические особенности технологии их изготовления;

уметь характеризовать:

  • области использования изучаемых приборов и элементов;

перспективы развития инженерных методов расчета;

приобрести навыки применения инженерных методов расчета структур и полупроводниковых приборов.

Программа рассчитана на объем 115 аудиторных часов. Примерное распределение учебных часов по видам занятий: лекций - 66 часов, лабораторных работ - 33 часа, практических занятий - 16 часов.

СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

ВВЕДЕНИЕ

Задачи курса, методологическое обеспечение

Основные этапы разработки полупроводниковых приборов и микросхем. Маршруты проектирования полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС) и их взаимосвязь с технологией создания структур.

Раздел 1. Дискретные биполярные полупроводниковые приборы

Тема 1.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

1.1.1. Порядок проектирования и расчета полупроводникового выпрямительного диода. Выбор структур, исходных полупроводниковых материалов. Расчет геометрических размеров, расчет электрических параметров.

1.1.2. Методика оценки технологических параметров. Особенности расчета стабилитронов, варикапов, СВЧ диодов и диодов Шоттки, фоточувствительных и светоизлучающих структур.

Тема 1.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

1.2.1. Конструктивные разновидности транзисторов. Влияние конструктивно-технологического исполнения транзисторов на их параметры. Проектирование транзисторных структур с оптимальными параметрами.

1.2.2. Методика проектирования транзисторов. Выбор структур, исходных полупроводниковых материалов, расчет геометрических размеров, расчет электрических параметров. Методика оценки технологических параметров.

Раздел 2. Элементы биполярных интегральных ИМС

Тема 2.1. АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС,

ИХ КОНСТРУКТИВНО-ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ ОТЛИЧИЯ ОТ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Тема 2.2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ

2.2.1. Конструктивно-технологические отличия от дискретных приборов. Особенности их расчета. Выбор структуры прибора, исходных полупроводниковых материалов. Расчет геометрических размеров, расчет электрических параметров.

2.2.2. Методика оценки технологических параметров. Формирование интегральных диодных структур на базе интегральных транзисторов. Оценка их параметров.

Тема 2.3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Влияние конструктивно-технологического исполнения транзисторов на их параметры. Особенности проектирования продольных и поперечных транзисторных структур.

Тема 2.4. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР

С ОПТИМАЛЬНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ

Методика проектирования транзисторов. Выбор структур, исходных полупроводниковых материалов, расчет геометрических размеров, расчет электрических параметров. Методика оценки технологических параметров.

Тема 2.5. ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИМС

2.5.1. Формирование структур, выполняющих несколько функций. Совмещение пассивных и активных областей транзисторов с резисторами, активные приборы в качестве нагрузочных элементов, RC-структуры.

2.5.2. Конструкции, методы расчета.

Раздел 3. Структуры на основе полевых эффектов

и приборы на их основе

Тема 3.1. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Сравнительные характеристики и параметры. Пороговое напряжение и порядок его расчета. Вольт-амперные характеристики. Паразитные элементы в полевых структурах. Ограничения, накладываемые на проектирование полевых структур. Базовая и альтернативные технологии и параметры структур.

Тема 3.2. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В ДИСКРЕТНОМ ИСПОЛНЕНИИ

Конструктивно-топологическое исполнение. Порядок расчета и проектирования дискретных полевых транзисторов. МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналами. Полевые транзисторы с управляемым р-п переходом. Особенности расчета СВЧ- и мощных полевых транзисторов. Конструирование полевых транзисторов с барьером Шоттки.

Тема 3.3. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Конструктивно-топологические отличия от дискретных приборов. Порядок расчета структуры. Паразитные параметры интегральных структур.

Тема 3.4. ИНВЕРТОРЫ НА БАЗЕ ПОЛЕВЫХ СТРУКТУР С ПАССИВНОЙ

И АКТИВНОЙ НАГРУЗКАМИ

Инверторы с резистивной нагрузкой. Полевые транзисторы в качестве нагрузки. Конструкция КМОП-инвертора, его параметры. Особенности проектирования ИМС на основе КМОП-транзисторов.

Раздел 4. Коммутационные элементы полупроводниковых ИМС

Тема 4.1. ВЫБОР МАТЕРИАЛОВ И КОНСТРУКЦИИ КОММУТАЦИОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

4.1.1. Расчет межсоединений, омических контактов и контактных площадок. Выбор и расчет изоляции элементов ИМС. Выбор подложки и корпуса полупроводниковых приборов и ИМС.

4.1.2. Расчет тепловых режимов подложки и корпуса.

Раздел 5. КОНСТРУКТОРСКАЯ ДОКУМЕНТАЦИЯ

Тема 5.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О СОСТАВЕ И ИЗГОТОВЛЕНИИ КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

Требования ЕСКД. Автоматизация разработки конструкторской документации.

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ

  1. Расчет конструкции и топологии полупроводниковых выпрямительных диодов.

  2. Расчет конструкции, топологии и основных параметров варикапов.

  3. Расчет конструкции, топологии и основных параметров стабилитронов.

  4. Расчет конструкции, топологии и основных параметров СВЧ диодов.

  5. Расчет конструкции, топологии и основных параметров биполярных и полевых транзисторов.

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

1. Расчет основных конструктивных и технологических параметров основных областей биполярного транзистора.

2. Проектирование базовой структуры биполярного транзистора.

3. Исследование взаимосвязи электрофизических и конструктивно технологических параметров полевых транзисторов.

4. Проектирование п-канальных полевых транзисторов с индуцированным каналом и изолированным затвором.

5. Проектирование р-канальных полевых транзисторов со встроенным каналом и изолированным затвором.

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ КУРСОВЫХ РАБОТ

1. Расчет и разработка конструкции дискретного полупроводникового прибора (диода, стабилитрона, варикапа, транзистора) по заданным параметрам.

  1. Расчет и разработка конструкции и топологии логического элемента
    цифровых ИМС.

  2. Расчет и разработка конструкции и топологии аналоговой микросхемы.

ЛИТЕРАТУРА

ОСНОВНАЯ

1. Березин А.С., Мочалкина О. Технология и конструирование интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1992.

2. Пономарев М.Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов

ЭВА. – М.: Радио и связь, 1982.

3. Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. – М.: Высш. шк., 1984.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

1. Бубенников А. М., Садовников А.Д. Физика и технология проектирования биполярных элементов Si-БИС. – М.: Радио и связь, 1990.

2. Крутякова М.Г., Чарыков В.М., Юдин М.А. Проектирование и расчет полупроводниковых приборов. – М.: Радио и связь, 1988.

  1. Мелляр Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. – М.: Мир, 1989.

Утверждена

УМО вузов Республики Беларусь

по образованию в области информатики

и радиоэлектроники

« 03 » июня 2003 г.

Регистрационный № ТД-41-002/тип.

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

И ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Учебная программа для высших учебных заведений

по специальности І-41 01 02 Микро- и наноэлектронные

технологии и системы

Согласована с Учебно-методическим управлением БГУИР

« 28 » мая 2003 г.

Составители:

В. Е. Борисенко, профессор кафедры микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», доктор физико-математических наук;

И.И. Абрамов, профессор кафедры микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», доктор физико-математических наук

Рецензенты:

Ф.П. Коршунов, заведующий лабораторией радиационных воздействий Института физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, профессор, доктор технических наук;

Кафедра интеллектуальных систем Учреждения образования «Белорусская государственная политехническая академия» (протокол № 7 от 21.03.2002 г.)

Рекомендована к утверждению в качестве типовой:

Кафедрой микроэлектроники Учреждения образования «Белорусский
государственный университет информатики и радиоэлектроники» (протокол
№ 7 от 04.03.2002 г.);

Научно-методическим советом по направлениям І-36 Оборудование и І-41 Компоненты оборудования УМО вузов Республики Беларусь по образованию в области информатики и радиоэлектроники (протокол № 1 от 25.10.2002 г.)

Разработана на основании Образовательного стандарта РД РБ 02100.5.030-98.

Ответственный за редакцию: Н.А. Бебель

Ответственный за выпуск: Ц.С. Шикова



Скачать документ

Похожие документы:

  1. Введение в специальность (11)

    Реферат
    Основной целью курса является первичное ознакомление студентов с будущей специ­альностью, системой профессиональных и научных требований, предъявляемых к выпу­скникам вузов при их назначении на первичные должности для работы в автотранспортных
  2. Введение в специальность (2)

    Документ
    И.В. Лукьянова, ст. преподаватель кафедры электронных вычислительных машин Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»
  3. Введение в специальность (4)

    Документ
    В.Н. Комличенко, заведующий кафедрой экономической информатики Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»,
  4. Введение в специальность (5)

    Пояснительная записка
    Я.В. Алишев, профессор кафедры систем телекоммуникаций Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», доктор технических наук.
  5. Введение в специальность (6)

    Пояснительная записка
    Я.В. Алишев, профессор кафедры систем телекоммуникаций Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»,

Другие похожие документы..