Поиск

Полнотекстовый поиск:
Где искать:
везде
только в названии
только в тексте
Выводить:
описание
слова в тексте
только заголовок

Рекомендуем ознакомиться

'Документ'
Изучение теоретических проблем и прикладных аспектов информатизации ДОУ. Освоение дисциплины направлено на приобретение студентами знаний о внедрении...полностью>>
'Публичный отчет'
Ошо көндәрҙә муниципаль район Советының сираттағы ултырышы саҡырыла. Депутаттар фекер алышасаҡ төп мәсьәлә – Баймаҡ районы муниципаль районының 2011 й...полностью>>
'Программа'
Программа Intel « Путь к успеху» является частью глобального проекта компании Intel «Инновации в образовании». Пилотный этап программы стартовал в 20...полностью>>
'Документ'
Спецкурс «Химические методы формирования наночастиц» является частью общей Программы по подготовке специалистов в МГУ имени М.В.Ломоносова в области ...полностью>>

Главная > Программа

Сохрани ссылку в одной из сетей:

[1] Akbaeva G.M., Borodin V.Z., Eknadiosyantz E.F., Prikhodkov A.V., Pinskaya A.N. // Ferroelectrics 1997.- Vol.190.- P.149-154.

[2] Юхнов И.В. Динамическая усталость керамики ЦТС //Дипломная работа. Ростов н/Д: РГУ, 2005.

13. релаксороподобные свойства керамики Бессвинцовых твердых растворов NaNbO3-Sr0.5NbO3-LiNbO3

Докл.: студ. 5 к. Середкина М.А.

Рук.: к.ф.-м.н., н.с. НИИФ Раевская С.И., доц. Семенчев А.Ф.

Исследованы закономерности изменения температуры Tm и размытия максимума диэлектрической проницаемости ε в зависимости от концентрации компонентов в тройной системе твердых растворов NaNbO3-Sr0.5NbO3-LiNbO3. Установлено, что у составов двойной системы(1-x)NaNbO3xSr0.5NbO3 с ростом x максимумы ε (Т) размываются, а Tm уменьшается. При этом значения ε и Tm зависят от частоты очень слабо. Введение в систему даже небольшого количества LiNbO3 приводит к существенному усилению частотной дисперсии ε, особенно при температурах ниже Tm, и сильному повышению Tm с ростом частоты. В то же время аномалии на температурных зависимостях теплового расширения указывают на наличие реального фазового перехода, даже в составах с наиболее размытым максимумом ε (Т).

14. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТРУКТУРНЫХ ПАРАМЕТРОВ В СЛОИСТОМ ВИСМУТЕ ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ

Докл.: студ. 3 к. Зулкарнеев С.

Рук.: к.ф.-м.н., инж. Рудская А.Г.

Целью настоящей работы являлось определение структурных параметров в слоистом висмуте Bi3TiNbO9 с модифицирующими добавками методами рентгеноструктурного анализа. Установлено, что во всех изученных образцах ТНВ–2 при комнатной температуре кристаллические фазы имеют симметрию A21am, а не Fmmm, как это и установлено в [1, 2].

Результаты исследований приведены в таблице.

№ образца

Параметры ячейки, Å

Полуширины дифракционных отражений, град.

Rp, %

ao

bo

co

B(004)

B(00.10)

1

5,4417

5,4113

25,0801

0,16

0,30

8,05

2

5,4422

5,4097

25,0821

0,21

0,25

8,06

3

5,4431

5,4017

25,1010

0,24

0,29

4,13

4

5,4436

5,4024

25,1102

0,18

0,27

5,08

[1] Wolfe R.W., Newnham R.E., Smith D.K., Kay M.I. // Ferroelectrics.-1971.- Vol.3.- P.1.

[2] Thompson J.G., Rae A.D., Withers R.L., Craig D.C. //Acta Cryst. B.-1991.- Vol.47.-P.174.

15. ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРНЫХ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Y1-xCaxMnO3 (0 ≤ x ≤ 0.7)

Докл.: студ. 5 к. Склярова А.М.

Рук.: к.ф.-м.н., инж. Рудская А.Г.

Целью настоящей работы являлось выявление особенностей структурных фазовых превращений в твердых растворах Y1-xCaxMnO3 при комнатной температуре. Результаты исследований приведены в таблице.

Образец

Пространственная группа

Параметры аO, aH, aT, Å

Параметры bO, Å

Параметры cO, cH, cT, Å

Rp, %

YMnO3

P6_3cm

6.1505

11.3827

4,77

Y0.7Ca0.3MnO3

P4mm

3.7214

3.8170

5,28

Y0.5Ca0.5MnO3

P4mm

3.7426

3.8036

5,47

Y0.3Ca0.7MnO3

Pnma

5.2792

7.4535

5.3125

5,29

Выявлено, что при x = 0 ячейка имеет гексагональную симметрию, в интервале концентраций Ca от 30 до 50 %  тетрагональную, а при x = 70%  ромбическую в отличие от работы [1], где в интервале концентраций Ca от 22 до 40 % обнаружена ромбическая фаза. С целью уточнения симметрии ячейки при малых концентрациях Ca синтезированы твердые растворы с x=0,15; 0.17; 0.19; 0.21; 0.23; 0.25. Результаты структурных исследований будут представлены в докладе.

[1] Moure C., Villegas M., Fernandez J.F., Tartaj J., Duran P.//J. Mater. Sci.- 1999. -Vol.34.- P.2565-2568.

Секция "Физика полупроводников"

Председатель: проф. Турик А.В.

Члены жюри: доц. Гершанов В.Ю., проф. Тополов В.Ю., доц. Гармашов С.И.,

доц. Толстолуцкий С.И., зав. лаб. Самко С.Д.

1. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ПАРАМЕТРЫ ПРИЕМА НОВЫХ КОМПОЗИТОВ ТИПА 2–2 НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА PZN–0,07PT

Докл.: асп. 1 г. Криворучко А.В.

Рук.: проф. Тополов В.Ю.

Кристаллы твердых растворов релаксоров-сегнетоэлектриков (1 – х)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 – xPbTiO3 (PZN–xPT) обладают выдающимися электроме-ханическими свойствами вблизи морфотропной границы при комнатной температуре. В недавней экспериментальной работе [1] впервые определен полный набор электромеханических констант кристалла PZN–0,07PT, поляризованного вдоль [011] перовскитовой ячейки (макроскопическая симметрия mm2). Согласно данным [1], его пьезомодули d3j(SC) характеризуются анизотропией, не свойственной традиционным сегнетопьезоактивным материалам, что представляет интерес для применения PZN–0,07PT в качестве компонента современных композитов «кристалл – полимер». Цель настоящей работы – провести анализ эффективных пьезоэлектрических свойств и показать преимущества новых композитов типа 2–2 на основе PZN–0,07PT.

Предполагается, что в рассматриваемых композитах с периодическим расположением слоев их границы раздела параллельны плоскости (Х2ОХ3), а ось поляризации ОХ3 || [011]. При этом используются срезы кристалла, полученные при вращении вокруг кристаллографической оси Z || [011] на угол φ по часовой стрелке. Полимерный компонент может быть либо монолитным, либо пористым (изолированные сферические или сфероидальные поры). В работе определены эффективные пьезокоэффициенты d3j*, e3j*, g3j*, h3j*, гидростатические пьезокоэффициенты dh*, gh* и квадраты параметров приема (Q33*)2 = d33*g33*, (Qh*)2 = dh*gh* в зависимости от объемной концентрации кристалла m, угла поворота φ его кристаллографических осей и пористости полимера mр, а также определены максимумы ряда параметров композитов на основе PZN–0,07PT. Показано, что в данных композитах имеют место высокие пьезоактивность и пьезочувствительность, а также достигаются более высокие значения g33*, gh*, (Q33*)2 и (Qh*)2 по сравнению с аналогичными параметрами композитов типа 1–3 на основе родственных кристаллов или типа 2–2 на основе сегнетопьезокерамики.

1. Zhang R., Jiang B., Jiang W., Cao W. // Appl. Phys. Lett.- 2006.- V.89, N 24.-P.242908–3 p.

2. ПОВЕДЕНИЕ ГЕТЕРОФАЗНЫХ ПОЛИДОМЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ

(1 – x)Pb(A1/3Nb2/3)O3 – xPbTiO3 (A = Mg; Zn) ВО ВНЕШНЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

Докл.: студ. 5 к. Балалаева Е.С.

Рук.: проф. Тополов В.Ю.

В работе развиваются представления [1] о гетерофазных состояниях и исследуются условия упругого согласования полидоменных тетрагональной (Т) и моноклинной типа А (MА) фаз в кристаллах 0,72Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 – 0,28PbTiO3 (PMN–0,28PT) и 0,955Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 – 0,045PbTiO3 (PZN–0,045PT) при фазовых переходах первого рода в электрическом поле E. Показано, что при приложении E вдоль оси [001] перовскитовой ячейки в этих кристаллах могут формироваться межфазные границы, являющиеся механически напряженными (например, конической формы) или плоскими недеформированными (т.е. параллельными плоскостям нулевых средних деформаций (ПНСД)). Характеристики межфазных границ определены в зависимости от объемных концентраций различных типов не 180-ных доменов в сосуществующих фазах.

Для описания связи между межфазными границами – ПНСД – и соответствующими не 180-ными доменными структурами в T и MА фазах PMN–0.28PT и PZN–0.045PT при E || [001] предложены системы диаграмм. При их анализе установлена монодоменизация фазы MА, сосуществующей с практически монодоменной Т фазой в PMN–0.28PT. Такое поведение связано с определенным изменением параметров перовскитовой ячейки, начиная с их адаптации при кубическо-Т фазовом переходе. Показано, что T фаза является по сути промежуточной в кристалле PMN–0.28PT, а условия формирования ПНСД в данном кристалле существенно зависят от температурного поведения параметра ячейки а в широком интервале при охлаждении в поле E || [001]. Для сравнения укажем, что в кристалле PMN–0.24PT (где отсутствует промежуточная Т фаза) кубическо-MА межфазные границы не являются ПНСД.

[1] Topolov V.Yu. // Appl. Phys. Lett.- 2006.- Vol.89, N 8.- P.082904-3 p.

3. Корреляция между доменными и гетерофазными структурами в кристаллах (1 – x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3xPbTiO3 вблизи морфотропной границы

Докл.: студ. 5 к. Шехмометьева К.А.

Рук.: проф. Тополов В.Ю.

Цель настоящей работы – анализ связей между различными доменными (двойниковыми) структурами и межфазными границами в кристаллах (1 – x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3xPbTiO3 (PMN–xPT), охлажденных в электрическом поле Е || [111]. Составы выбираются вблизи морфотропной границы (0,28 < х < 0,35), где наблюдается значительное влияние электрического поля на последовательность фаз.

Кристаллографическое описание гетерофазных состояний в полидоменных кристаллах PMN–xPT проведено в рамках алгоритма [1, 2] с учетом эквивалентных ориентаций доменов в сегнетоэлектрических тетрагональной (Т), ромбической (Р) и моноклинной (Мв) фазах в поле Е || [111]. Особенностью данных состояний является то, что в каждой из вышеупомянутых фаз векторы спонтанной поляризации различных типов доменов образуют равные углы с вектором Е внешнего поля. Для кристалла PMN–0,30PT построены диаграммы, связывающие различные типы доменов и межфазные границы, и проведена классификация межфазных границ. Определены объемные концентрации отдельных типов не 180-ных доменов, при которых межфазные границы являются плоскостями нулевых средних деформаций (ПНСД). Условия существования ПНСД реализуются во всех двухфазных состояниях при сосуществовании кубической и Т, Т и Р, Р и Мв фазах, а изменения параметров ячейки PMN–0,30PT способствуют упрощению доменной структуры в Р и Мв фазах, в которых углы между векторами спонтанной поляризации доменов и Е значительно меньше, чем в Т фазе.

[1] Тополов В. Ю., Балюнис Л. Е., Турик А. В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ.-1992.-Т.56, № 10.- С.127-133.

[2] Topolov V.Yu. // Appl. Phys. Lett.- 2006.- Vol.89, N 8.- P.082904-3 p.

4. ФАЗОВАЯ КАРТИНА И СТАБИЛЬНОСТЬ ПЬЕЗОАКТИВНОГО СОСТОЯНИЯ В МАТЕРИАЛАХ ТИПА ПКР ТРЕХ ГРУПП

Докл.: студ. 5 к. Тригер Е.В.

Рук.: проф. Турик А.В., проф. Резниченко Л.А.

Представленное исследование является продолжением и развитием опубликованных нами ранее работ, посвященных изучению зависимости пьезоэлектрических свойств керамик различного состава от условий циклического воздействия температуры [1, 2].

Исследования пьезоэлектрических свойств проводились на установке, сконструированной в НИИ физики, различными методами циклирования.

Диэлектрические свойства исследовались в интервале температур 25°С  700°С на установке Е-7-20 «Измеритель иммитанса» в частотном диапазоне 25Гц-1МГц.

Рентгенографические исследования проводились методом порошковой дифракции с использованием дифрактометров ДРОН-3 и АДП.

В процессе исследований стабильности пьезомодуля от температуры обращено внимание на факт сохранения поляризованного состояния во всех материалах выше Тк, при этом ширина этой области уменьшается по мере ужестчения материалов. Выявлено влияние на зависимость d33(Т) изменения под воздействием температуры фазовой картины объектов. В СМ материалах отмечено влияние на ход d33кв.ст.(Т) релаксационных свойств, выявленных на зависимостях ε(f).

[1] Тригер Е.В., Резниченко Л.А., Бородин В.З., Шилкина Л.А., Турик А.В // Сб. материалов 9-го Междунар. Симп. «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» («ODPO-2006»). Ростов-на-Дону-пос. Лоо, 2006.- Т. 2.- С. 168-171.

    [2] Тригер Е.В., Шилкина Л.А., Разумовская О.Н., Дудкина С.И. // Материалы Междунар. науч.-техн. конф. «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» («Intermatic-2006»).- М., 2006.- С. 147-151.

5. х-T-ДИАГРАММА РЕАЛЬНЫХ ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ СИСТЕМЫ ЦТС

(0,37 ≤ х ≤ 0,57)

Докл.: студ. 4 к. Ярославцева Е.А.

Рук.: проф. Турик А.В., зав. отд. НИИФ проф. Резниченко Л. А.

Представлены результаты высокотемпературного изучения структуры и диэлектрических свойств керамик твёрдых растворов системы ЦТС, анализ которых осуществлялся с позиций их реальной структуры [1,2]. Актуальность таких исследований обусловлена тем, что современные высокоэффективные сегнетопьезоэлектрические материалы на основе системы ЦТС изготавливаются в подавляющем большинстве случаев в виде керамик – объектов сложного иерархического строения, сочетающих различные типы несовершенств. Установлено, что при нагреве образцов в окрестности перехода в неполярную кубическую фазу обнаружена область нечеткой симметрии, сдвигающаяся в сторону более высоких температур и сужающаяся по мере обогащения системы титанатом свинца; выделяются три концентрационные области, различающиеся значениями скачка объема ΔV на линии переходов Рэ(Т)→ ОНС; возникновение смешанного состояния, вероятно, обусловленное общей пространственной неоднородностью керамик за счет их сложного иерархического строения (кристаллическая структура, области когерентного рассеяния, домены, зерна и др.) и дефектности (точечной, протяженной); вблизи 300оС в ТР с х ≥ 0.435 появляется еще один фазовый переход, по-видимому, связанный с рядом изосимметрийных превращений из одного фазового состояния в другое. Появление трех температурных областей зависимостей обратной диэлектрической проницаемости можно объяснить в рамках термодинамической теории. Наличие особых линий на фазовой диаграмме системы обуславливает существование двух критических точек Кюри на границе сегнетоэлектрических фаз с кубической фазой.

[1] Rane M., Navrotsky A., Rossetti Jr.G.A. // J. Solid State Chem.- 2001.- Vol.161.- P.402.

[2] Rossetti Jr.G.A., Cline J.P., Chiang Y.M., Navrotsky A. // J. Phys.: Condens. Matter. -2002.- Vol.14.- P.8131.

[3] Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество.- М.: Атом- издат, 1972. – 248 с.

6. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СЕГНЕТОКЕРАМИКИ

PbZr1-xTixO3 С х = 0,03; 0,04; 0,05; 0,06 В ОБЛАСТИ ПЕРЕХОДА ИЗ АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ФАЗУ

Докл.: студ. 5 к. Русакова Е.В.

Рук.: зав. лаб. НИИФ Захаров Ю.Н., проф. Турик А.В.

Измерялись следующие параметры сегнетокерамик PbZr0.97Ti0.03O3, PbZr0.96Ti0.04O3, PbZr0.95Ti0.05O3 и PbZr0.95Ti0.05O3: диэлектрическая проницаемость, тангенс диэлектрических потерь, квазистатический и динамический пиротоки. Проводилось исследование температурного гистерезиса АСЭ ↔ СЭ фазового перехода в зависимости от температуры нагрева, величины напряженности постоянного электрического поля. Были определены температурные интервалы существования АСЭ и СЭ фаз, а также их температурный гистерезис.

При исследовании динамики АСЭ ↔ СЭ переходов в циклах “нагрев-охлаждение” при ступенчатом повышении температуры нагрева позволяет сделать вывод, что чем больше температура нагрева превышает температуру фазового перехода АСЭ → СЭ.

7. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СЕГНЕТОКЕРАМИКИ

PbZr1-xTixO3 С х = 0,07; 0,08; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,35 ПРИ РАЗНЫХ РЕЖИМАХ ПОЛЯРИЗАЦИИ

Докл.: студ. 5 к. Гранкина С.В.

Рук.: зав. лаб. НИИФ Захаров Ю.Н., проф. Тополов В.Ю.

Исследовались сегнетокерамические образцы PbZr1-xTixO3 c х = 0,07; 0,08; 0,1; 0,15; 0,2;0,25; 0,3; 0,35 толщиной 1 мм в двух режимах поляризации (режим горячей поляризации и режим низковольтной поляризации). Измерялись следующие параметры сегнетокерамики: диэлектрическая проницаемость, тангенс диэлектрических потерь, квазистатический и динамический пиротоки. Проанализированы полученные результаты. Выявлены особенности поведения тангенса диэлектрических потерь и емкости в температурном интервале от 300 до 1700 С, также смещение температуры перехода между ромбоэдрической низкотемпературной и ромбоэдрической высокотемпературной фазами в зависимости от режима поляризации.

8. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТРОЛИРУЕМЫХ ПОЛОС РОСТА ПРИ НЕСТАЦИОНАРНОЙ ТЕРМОМИГРАЦИИ

Докл.: студ. 5 к. Иванов С.В., студ. 4 к. Суворов Н.А.

Рук.: доц. Гармашов С. И., доц. Гершанов В. Ю.

Процесс термомиграции чувствителен к малым (<1 K) колебаниям температуры, что, в частности, выражается в возрастании мгновенной скорости кристаллизации на несколько порядков и возникновению неравновесного захвата примеси [1]. Используя контролируемый нестационарный тепловой режим процесса термомиграции, в принципе, можно управлять составом растущего кристалла, размерами и периодом полос роста [2].

Цель работы – экспериментально показать возможность формирования контролируемых полос роста и сравнить результаты эксперимента с результатами компьютерного моделирования. Для обеспечения необходимого нестационарного теплового режима использовалась разработанная авторами автоматизированная система управления током питания малоинерционного резистивного нагревателя. В докладе будут представлены результаты проведенного экспериментального исследования, проведено сравнение с результатами компьютерного моделирования, обсуждена возможность формирования полос роста нанометрового диапазона.

[1] конецформыначалоформыГершанов В.Ю., Гармашов С.И. // Кристаллография.- 1992.- Т.37, № 1.-С.34-42.

[2] Гершанов В.Ю., Гармашов С.И. // Тез. докл. 6-й междунар. конф. "Рост монокристаллов и тепломассоперенос" (ICSC-05), 25-30 сент. 2005 г.-Обнинск, 2005 (/russian_version/abstract/13.doc).

9. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ТЕРМОМИГРАЦИИ ДИСКРЕТНЫХ ВКЛЮЧЕНИЙ В СТАЦИОНАРНЫХ ТЕПЛОВЫХ УСЛИВИЯХ

Докл.: студ. 5 к. Соколов В. А., студ. 4 к. Ханов Н. А.

Рук.: доц. Гершанов В.Ю., доц. Гармашов С.И.

Анализ экспериментальных данных по миграции цилиндрических включений дает возможность получить информацию о межфазной кинетике и межфазной поверхностной энергии на основе модели, описанной в работе [1]. Для корректного обсуждения данных эксперимента на основе [1] необходимо, чтобы тепловые условия эксперимента были строго стационарны.

Цель настоящей работы - разработка экспериментальной установки, обеспечивающей тепловой режим процесса термомиграции, который удовлетворяет критериям стационарности [2], и проведение экспериментов для получения информации о форме и скорости мигрировавших цилиндрических включений при различных температурах.

Для обеспечения необходимого стационарного теплового режима в работе эксперименты проводились на базе вакуумного поста ВУП-4 с инерционным резистивным нагревателем. Высокая тепловая инерционность достигалась за счет того, что образец нагревался через массивный графитовый экран. В докладе приводятся и обсуждаются данные проведенных экспериментов.

[1] Гармашов С.И., Гершанов В.Ю.// Тез. докл. 6-й междунар. конф. "Рост монокристаллов и тепломассоперенос" (ICSC-05), 25-30 сент. 2005 г.- Обнинск, 2005 (/russian_version/abstract/12.doc).

[2] Гершанов В.Ю., Гармашов С.И. // Кристаллография.- 1992.- Т.37, № 1.- C.34-42.

10. ЭФФЕКТ ГРАНИ ПРИ ТЕРМОМИГРАЦИИ ДИСКРЕТНЫХ ВКЛЮЧЕНИЙ ЖИДКОЙ ФАЗЫ В АНИЗОТРОПНОМ КРИСТАЛЛЕ

Докл.: студ. 5 к. Разумная А. Г.

Рук.: доц. Гершанов В.Ю., доц. Гармашов С.И.

Под эффектом грани понимают различие в степени легирования областей растущего кристалла [1], возникающее из-за того, что на фронте кристаллизации имеются сингулярные и несингулярные участки межфазной границы с разными коэффициентами захвата примеси. При миграции дискретных включений в неоднородно нагретом кристалле всегда сосуществуют атомно-шероховатые и атомно-гладкие участки межфазной границы, рост на которых протекает по разным механизмам – нормальному и одному из послойных, соответственно. Поэтому вполне естественно предположить возможность проявления эффекта грани при термомиграции дискретных включений.

В работе изучались области кремния, перекристаллизованные в результате термомиграции цилиндрических включений состава Si-Al в стационарных и нестационарных тепловых условиях. Для выявления областей с разной степенью легирования использовались смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот. Из анализа экспериментальных данных выяснено, что размеры области, выросшей по послойному механизму, меняются в зависимости от степени нестационарности условий термомиграции. Это подтверждает результаты работы [2] и согласуется с данными проведенного компьютерного моделирования эволюции формы цилиндрического включения в нестационарных тепловых условиях.

[1] Современная кристаллография.- Т. 3.- М.: Наука, 1980.- С.174-175, 371-374.

[2] Гершанов В.Ю., Гармашов С.И. // Кристаллография.-1992.- Т.37, N1.-С.34-42.

11. РАЗРАБОТКА АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЯМИ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Докл.: студ. 4 к. Суворов Н. А., асп. 1 г. обуч. Родинин М.Ю.

Рук.: доц. Гармашов С.И., доц. Гершанов В.Ю.

При измерении параметров полупроводниковых материалов зондовыми методами возникает необходимость в позиционировании зондов в заданных точках исследуемого образца и в снятии вольтамперных характеристик. Причем, для обеспечения возможности дальнейшей статистической обработки измеренных данных необходимо многократно повторять процедуру измерения. В связи с этим представляется актуальным автоматизация проводимых зондовых измерений [1].

В докладе будут представлены аппаратная и программная часть разработанной системы, обеспечивающей управление положением измерительных зондов и снятие вольтамперных характеристик в автоматизированном режиме. Программы разработаны в среде графического программирования NI LabVIEW [2]. Для снятия вольтамперных характеристик использовалось USB устройство сбора данных LabJack U12 [3]. В докладе описывается методика измерений, приводятся и обсуждаются полученные результаты.

[1] Гармашов С.И., Гершанов В.Ю., Родинин М.Ю. // Материалы научн.-мет. конф. "Современные информационные технологии в образовании : Южный Федеральный округ", 19-22 апреля 2006 г.-Ростов-на-Дону, 2006.-С.79-80.

[2] Среда графического программирования NI LabVIEW.- http://www.labview.ru/

[3] Многофункциональное устройство измерения и управления с USB подключением LabJack U12.- /



Скачать документ

Похожие документы:

  1. Отчет о научно-исследовательской работе кафедры теоретической и вычислительной физики за 2007 год. Основные направления и результаты научной деятельности

    Публичный отчет
    В отчетном году научно-исследовательская работа кафедры велась по двум традиционным направлениям: 1) физика конденсированного состояния вещества, 2) физика элементарных частиц и космология.
  2. Отчет о самообследовании основной образовательной программы по специальности (направлению) 260202 Технология хлеба, кондитерских и макаронных изделий

    Публичный отчет
    Специальность 260202 – Технология хлеба, кондитерских и макаронных изделий утверждена приказом Государственного комитета Российской Федерации по высшему образованию от 5.
  3. Планирование и организация учебного процесса 24 Структура и содержание образовательных программ по аттестуемым специальностям. 36

    Документ
    Как и на других факультетах довоенного института, преподавательский коллектив факультета языка и литературы был невелик. В разные годы в него вхо­дили В.
  4. Старцева Олга Геннадиевна Секретарь ученого совета факультета Усынина анна Александровна Архангельск 2009 (оборот титульного листа) отчет

    Публичный отчет
    Подготовка дипломированных специалистов по основной образовательной программе (ООП) по специальности 060103 «Педиатрии» ведется в Северном государственном медицинском университете с 1979года в соответствии с Приказом Министерства
  5. О хозяйства материалы студенческой научной конференции (18 февраля 3 марта 2008г.) Махачкала 2008

    Документ
    В сборнике представлены тезисы и доклады студентов Дагестанского государственного института народного хозяйства – победителей конференций, проводимых в рамках ежегодной Недели студенческой науки, рекомендованные для публикации.

Другие похожие документы..